메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류

추천
검색

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
황성환 (연세대학교 신소재공학과 정보전자재료연구실) 문경주 (연세대학교 신소재공학과 정보전자재료연구실) 이태일 (연세대학교 신소재공학과 정보전자재료연구실) 명재민 (연세대학교 신소재공학과 정보전자재료연구실)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제23권 제5호
발행연도
2013.1
수록면
255 - 259 (5page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색

초록· 키워드

오류제보하기
An effect of thermal annealing on activating phosphorus (P) atoms in ZnO nanorods (NR) grown using a hydrothermal process was investigated. $NH_4H_2PO_4$ used as a dopant source reacted with $Zn^{2+}$ ions and $Zn_3(PO_4)_2$ sediment was produced in the solution. The fact that most of the input P elements are concentrated in the $Zn_3(PO_4)_2$ sediment was confirmed using an energy dispersive spectrometer (EDS). After the hydrothermal process, ZnO NRs were synthesized and their PL peaks were exhibited at 405 and 500 nm because P atoms diffused to the ZnO crystal from the $Zn_3(PO_4)_2$ particles. The solubility of the $Zn_3(PO_4)_2$ initially formed sediment varied with the concentration of $NH_4OH$. Before annealing, both the structural and the optical properties of the P-doped ZnO NR were changed by the variation of P doping concentration, which affected the ZnO lattice parameters. At low doping concentration of phosphorus in ZnO crystal, it was determined that a phosphorus atom substituted for a Zn site and interacted with two $V_{Zn}$, resulting in a $P_{Zn}-2V_{Zn}$ complex, which is responsible for p-type conduction. After annealing, a shift of the PL peak was found to have occurred due to the unstable P doping state at high concentration of P, whereas at low concentration there was little shift of PL peak due to the stable P doping state.

목차

등록된 정보가 없습니다.

참고문헌 (13)

참고문헌 신청

이 논문의 저자 정보

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0