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논문 기본 정보

자료유형
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저자정보
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제14권 제3호
발행연도
2013.1
수록면
156 - 159 (4page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2013

Controllability of Threshold Voltage of ZnO Nanowire Field Effect Transistors by Manipulating Nanowire Diameter by Varying the Catalyst Thickness
이상렬 Transactions on Electrical and Electronic Materials 2013.01 학술저널

2011

Application of Diameter Controlled ZnO Nanowire Field Effect Transistors
이상렬 한국재료학회 학술발표대회 2011.01 학술대회자료

초록· 키워드

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The electrical properties of ZnO nanowire field effect transistors (FETs) have been investigated depending on various diameters of nanowires. The ZnO nanowires were synthesized with an Au catalyst on c-plane Al2O3 substrates using hot-walled pulsed laser deposition (HW-PLD). The nanowire FETs are fabricated by conventional photo-lithography. The diameter of ZnO nanowires is simply controlled by changing the thickness of the Au catalyst metal, which is confirmed by FE-SEM. It has been clearly observed that the ZnO nanowires showed different diameters simply depending on the thickness of the Au catalyst. As the diameter of ZnO nanowires increased, the threshold voltage of ZnO nanowires shifted to the negative direction systematically. The results are attributed to the difference of conductive layer in the nanowires with different diameters of nanowires, which is simply controlled by changing the catalyst thickness. The results show the possibility for the simple method of the fabrication of nanowire logic circuits using enhanced and depleted mode.
#ZnO nanowire #Nanowire field effect transistor #Threshold voltage #Diameter

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Chen C W / 2006 / / Appl. Phys. Lett 88 : 241905 ~ google schola Gang Xiong / 2002 / / Appl. Phys. Lett 80 : 1195 ~ google schola Greene L E / 2003 / / Angew. Chem. Int. Edn 42 : 3031 ~ google schola Haung M H / 2001 / / Science 292 : 1897 ~ google schola Huang H / 2001 / / Science 292 : 1897 ~ google schola

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