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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.4
- 수록면
- 484 - 491 (8page)
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본 논문에서는 LDMOS FET를 이용하여 스위칭 방식의 L-대역 고속 펄스 고전력 증폭기를 설계하고 제작하였다. 이를 위해 LDMOS FET의 드레인 전원을 스위칭하기 위한 고전압 스위칭 회로를 제안하였다. LDMOS FET를 이용한 펄스 고전력 증폭기는 단일 전원을 사용하고, 소자 특성상 이득과 출력이 높기 때문에 기존의 GaAs FET를 사용한 증폭기에 비해 구조가 간단하며, 사용 전압(V<SUB>ds</SUB>=26～28 V)에 비해 최대 허용 전압(65 V)이 2～3배 높아 스위칭 방식에 적합하다. LDMOS FET를 이용하여 제작된 1.2 ㎓ 대역 100 W 펄스 증폭기는 펄스폭이 2 us, PRF가 40 ㎑의 출력 신호에서 상승 시간이 28.1 ns, 하강 시간이 26.6 ns로 측정되었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 상용 펄스 고전력 증폭기 분석
Ⅲ. 펄스 고전력 증폭기 설계
Ⅳ. Pulsed High Power Amplifier 제작 및 측정
Ⅴ. 결론
참고문헌
참고문헌 (4)
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1. [학술대회논문] - J. H. Woo / 2006 / 1.5 kW solid-state pulse microwave amplifier for S-band radar application / IEEE Radio and Wireless Symposium 2006 : 171 ~ 174
2. [단행본] - Timothy P. Hulick / 1993 / Rise time/fall time enhancement of class C bipolar common base transistor amplifiers / RF Design : 44 ~ 53
3. [학술지(정기간행물)] - 이희민 / 2008 / Pulsed Power Amplifier를 위한 고속 스위칭 회로 설계 / 한국전자파학회 논문지 19 (2) : 174 ~ 180
4. [단행본] - Merrill I. Skolnik / / Radar Handbook / McGraw Hill.
2. [단행본] - Timothy P. Hulick / 1993 / Rise time/fall time enhancement of class C bipolar common base transistor amplifiers / RF Design : 44 ~ 53
3. [학술지(정기간행물)] - 이희민 / 2008 / Pulsed Power Amplifier를 위한 고속 스위칭 회로 설계 / 한국전자파학회 논문지 19 (2) : 174 ~ 180
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