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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2013.11
- 수록면
- 750 - 753 (4page)
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High voltage application에 사용되는 bootstrap 회로는 외부 Diode 사용이 불가피한 경우가 많아서 집적화에 단점으로 작용하고 있다. 또한, Bootstrap Diode는 순방향 전압 강하로 인해 동작 Level을 제한할 수 있고, High side switch의 ON resistance를 크게 만들 가능성이 있다. 이와 같은 문제점을 보완하기 위해 본 논문에서는 High voltage LDMOS를 이용하여 외부 Diode 없는 bootstrap 회로를 제안하였다. 제안된 IC는 동부하이텍 700V 0.35um BCD 공정을 사용하여 제작하였고, High side switch 구동 Test를 통하여 검증하였다.
목차
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 구현
Ⅳ. 결론
참고문헌
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