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한국마린엔지니어링학회 Journal of Advanced Marine Engineering and Technology (JAMET) 한국마린엔지니어링학회지 제30권 제8호
발행연도
2006.11
수록면
901 - 906 (6page)

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In this paper, the power amplifier using active bias circuits for LDMOS(Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor) MRF-21180 is designed and fabricated. According to change the temperature, the gate voltage of LDMOS is controlled by the fabricated active bias circuits, which is made of PNP transistor to suppress drain current. The driving amplifier using MRF-21125 and MRF-21060 is made to drive the LDMOS MRF-21180 power amplifier.
The variation of current consumption in the fabricated 60 watt power amplifier has an excellent characteristics of less than 0.1 A, whereas a passive biasing circuit dissipates more than 0.5 A. The implemented power amplifier has the gain over 9 ㏈, the gain flatness of less than ±0.1 ㏈ and input and output return loss of less than -6 ㏈ over the frequency range 2.11~2.17 ㎓. The DC operation point of this power amplifier at temperature variation 0 ℃ to 60 ℃ is fixed by active bias circuit.

목차

Abstract
1. 서론
2. 능동 바이어스회로
3. 특성 측정 및 평가
4. 결론
참고문헌
저자소개

참고문헌 (7)

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