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이 논문의 연구 히스토리 (2)

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AlN: Cr films (with different Cr chips from 0 to 4) were prepared by magnetron DC reactive sputtering. X-ray diffraction (XRD) pattern indicates that the films are single phase with hexagonal AlN structure. The saturated magnetization MS increases when the Cr chips increases from 1 to 3 chips. Optical absorption gap decreases from 6.18 to 4.74 with increasing Cr content. R(T) curve shows AlN:Cr as semiconductor behavior.

목차

Abstract
1. Introduction
2. Experiments
3. Results and Discussion.
4. Summary
5. Acknowledgement.
6. References

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-428-017529943