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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2003.6
- 수록면
- 98 - 102 (5page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (3)
2003
Tunneling magnetoresistance of AlN / Co / AlN type discontinuous films
C. J. Yang
,
M. Zhang
,
Z. D. Zhang
외 1명
한국자기학회 학술연구발표회 논문개요집
2003.12
학술대회자료
Nanoscale microstructure and magnetic transport in AlN / Co / AlN / Co... discontinuous multilayers
C. J. Yang
,
M. Zhang
,
Z. D. Zhang
외 1명
한국자기학회 학술연구발표회 논문개요집
2003.06
학술대회자료
Nanoscale Microstructure and Magnetic Transport in AlN / Co / AlN / Co... Discontinuous Multilayers
C. J. Yang
,
M. Zhang
,
Z. D. Zhang
외 1명
Journal of Magnetics
2003.06
학술저널
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Microstructure and magnetic transport phenomina in rf sputtered AlN/Co type ten- layered discontinuous films of nanoscaled [AlN(3 ㎚)/Co(t ㎚)]…_(10) with t_(Co)=1.0~2.0 ㎚ have been investigated. The microstructure and tunneling magnetic resistance of the samples are strongly dependent on the thickness of Co layer. Negative tunneling magneto-resistance due to the spin-dependent transport has been observed along the current-in-plane configuration in the samples having the Co layers below 1.6 ㎚ thick. When the thickness of Co layer was less than 1.2 ㎚, randomly oriented granular Co particles were completely isolated and embedded in amorphous AlN matrix, and the films showed the superparamagnetic behavior with a high MR value of △ρ/ρ。=1.8%. As t_(Co) increases, a transition from the regime of co-existence of superparamagnetic and ferromagnetic behaviors to ferromagnetic behavior was observed. Tunneling barrier called “decay length for tunneling” for the films having the thickness of Co layer from 1.4 to 1. 6 ㎚ was measured to be ranged from 0.004 to 0.021 Å-¹.
목차
Abstract
1. Introduction
2. Experimental Procedure
3. Results and Discussions
4. Conclusion
Acknowledgements
References
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