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한국조명·전기설비학회 조명·전기설비학회논문지 조명·전기설비학회논문지 제20권 제4호
발행연도
2006.5
수록면
7 - 11 (5page)

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본 논문에서는 Mo/SiO₂/Si(100) 기판 위에 MOCVD(Metal-Organic-Chemical-Vapor Deposition)법을 이용하여 C축 방향으로 성장시킨 AIN(Aluminum Nitride) 박막을 이용하여 ㎓대역 무선 통신에서 사용할 수 있는 FBAR(Film-Bulk-Acoustic Resonator)을 제작하였다. 제작된 공진부의 공진주파수와 반공진주파수는 각각 3.189[㎓]와 3.224[㎓]으로 측정되었으며, Q값(Quality Factor)과 유효한 전기기계 결합계수(k<SUB>eff</SUB>²)는 각각 24.7과 2.65[%] 로 평가되었다. AIN의 증착(Deposition) 조건은 950[℃]의 기판표면(Substrate) 온도, 20Torr의 압력, 25000의 N/Al의 Ⅴ/Ⅲ비로 증착하였다. 4×10??[Ω㎝]의 Mo 하부전극 고유저항과 Mo/SiO₂/Si(100) 기판 위에 AIN(0002) FWHM(Full-Width at Half-Maximum) 4를 갖는 C축 방향성의 AIN 박막을 성공적으로 성장시켰다. 따라서 증착된 AIN 박막의 FWHM 값은 ㎓대역 무선 통신용 RF(Radio Frequency) 밴드 패스 필터 설계에 유용하게 사용될 것이다.

목차

요약
Abstract
1. 서론
2. AlN 박막의 최적화
3. FBAR 제조
4. 결론
References
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