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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1999.11
- 수록면
- 149 - 152 (4page)
이용수
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This paper represents the characteristic analyses for the etching in SF? plasma and the plasma itself, based on the specific knowledges on the discharge mechanism of SF? plasma which is widely used for the applications of dry etching, using Radio Frequency Inductively Coupled Plasma(RFICP) by measuring electron density, electron temperature then observing their relationship to find the effect of discharge mechanism of SF? plasma to the etching in contrast to the existing method of finding optimal discharge condition by heuristic.
목차
Abstract
1. 서론
2. 측정값과 평가
3. 실험방법
4. 실험결과 및 고찰
5. 결론
참고문헌
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