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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1993.12
- 수록면
- 424 - 432 (9page)
이용수
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대기압 MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition) 방법으로 AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic 구조를 성장하였다. 650℃에서 AlGaAs와 InGaAs를 성장할 때 각각에서 Al과 In의 유입효율은 조성비에 관계없이 일정하였다. 그러나 Al은 Ga보다 약간 큰 유입효율을, In은 Ga보다 다소 작은 유입효율을 보였다. InGaAs/GaAs strain QW(quantum well)을 성장하여 광학적 성질을 알아보았으며, 델타도핑을 이용한 Al_(0.24)Ga_(0.76)As/In_(0.16)Ga_(0.84)As p-HEMT(pseudomorphic high electron mobility transistor) 구조를 성공적으로 성장하여 Hall 효과와 Shubnikov-de Haas(SdH) 측정 등을 통하여 전기적인 특성을 연구하였다. 자기저항의 SdH 진동과 양자 Hall 저항의 편평대가 확실히 관찰되었으며, 이로부터 이차원 전자가스의 존재와 buffer층을 통한 parallel conduction이 있음을 확인하였다. Buffer층에 p형 GaAs를 삽입한 구조로 만든 1.5 ㎛ 게이트 길이를 가진 p-HEMT는 200mS/㎜의 transconductance와 좋은 pinch-off 특성을 보였다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 결정성장
3. 결정성장의 결과 및 토의
4. HEMT 소자 제작 및 특성
5. 결론
감사의 글
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