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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제6권 제4호
발행연도
1997.11
수록면
337 - 342 (6page)

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GaAs내의 철(Fe)의 상태에 관한 연구를 위하여, 액상에피탁시 방법으로 Fe를 도프한 GaAs를 성장하고 성장된 에피층의 특성을 연구하였다. 도판트 물질인 Fe는 동위원소 (57)^Fe를 사용하였고, Fe이온의 GaAs내에서의 전하상태를 Mossbauer 분광실험으로 분석하였다. Mossbauer 스펙트럼으로 부터 isomer shift 값을 계산한 결과 Fe 이온은 GaAs내에서 +3가 이온 상태로 존재함을 알 수 있었다. X-ray 분석 및 photoluminescence(PL) 분광실험으로 부터 결정성이 우수한 에피층이 성장되었음을 알 수 있었으며, Fe가 도프된 GaAs의 저온 PL에서 0.99 eV 및 1.15 eV에서 피크를 갖는 반치폭이 매우 큰 발광대를 관찰 할 수 있었다. 이들 피크는 GaAs내 Fe 억셉터와 관련된 2개의 복사성 깊은 준위를 반영하는 발광현상으로 해석된다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험장치 및 방법

3. 실험결과 및 논의

4. 결론

참고문헌

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