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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- Korean Institute of Information Scientists and Engineers Journal of Electrical Engineering and Information Science Journal of Electrical Engineering and Information Science Vol.3 No.4
- 발행연도
- 1998.8
- 수록면
- 521 - 526 (6page)
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Hot carrier effects in CMOS with effective gate length down to 0.1㎛ level are investigated. Hot carrier effects in 0.1㎛ level CMOS are observed at low drain voltage and its possible physical mechanisms are explained. Based on the conventional DC lifetime extrapolation technique, the maximum allowable supply voltage under DC and AC stress is extracted. The enhanced AC degradation for ultra-thin SiO₂, PMOS is explained by the hole trapping during device-off. Finally, a new method for characterizing the hot carrier degradation of ultra-thin SiO₂ PMOS is suggested.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Hot Carrier Effects at Low Voltage
Ⅲ. Maximum Allowable Supply Voltage
Ⅳ. Hot Carrier Degradation of Ultra-thin SiO₂MOS
Ⅴ. Conclusions
References
저자소개
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