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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE JOUNAL OF SEMICONDUCTOR THCHNOLOGY AND SCIENCE Vol.5 No.2
- 발행연도
- 2005.6
- 수록면
- 136 - 147 (12page)
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A theoretical design evaluation based on a hydrodynamic transport simulation of strained Si-SiGe on insulator (SSOI) type nMOSFETs is reported. Although, the net performance improvement is quite limited by the short channel effects, simulation results clearly show that the strained Si-SiGe type nMOSFETs are well-suited for gate lengths down to 20 nm.
Simulation results show that the improvement in the transconductance with decreasing gate length is limited by the long-range Coulomb scattering. An influence of lateral and vertical diffusion of shallow dopants in the source/drain extension regions on the device performance (i.e., threshold voltage shift, subthreshold slope, current drivability and transconductance) is quantitatively assessed. An optimum layer thickness (t_(si) of 5 and t_(sg) of 10 nm) with shallow junction depth (5-10 nm) and controlled lateral diffusion with steep doping gradient is needed to realize the sub-50 nm gate strained Si-SiGe type nMOSFETs.
Simulation results show that the improvement in the transconductance with decreasing gate length is limited by the long-range Coulomb scattering. An influence of lateral and vertical diffusion of shallow dopants in the source/drain extension regions on the device performance (i.e., threshold voltage shift, subthreshold slope, current drivability and transconductance) is quantitatively assessed. An optimum layer thickness (t_(si) of 5 and t_(sg) of 10 nm) with shallow junction depth (5-10 nm) and controlled lateral diffusion with steep doping gradient is needed to realize the sub-50 nm gate strained Si-SiGe type nMOSFETs.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Device Structure and Simulations
Ⅲ. Results and Discussion
Ⅳ. Conclusions
References
저자소개
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