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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 44 - 48 (5page)
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Hole mobility characteristics of two representative biaxially strained SiGe/Si structures with high Ge contents are studied. They are single channel (Si/Si1-xGex/Si substrate) and dual channel (Si/Si1-yGey/ Si1-xGex/ Si substrate), where the former consists of a relaxed SiGe buffer layer with 60 % Ge content and a tensile-strained Si layer on top, and for the latter, a compressively strained SiGe layer is inserted between two layers. Owing to the hole mobility performance between a relaxed SiGe film and a compressive-strained SiGe film in the single channel and the dual channel, the hole mobility behaviors of two structures with respect to the Si cap layer thickness shows the opposite trend. Hole mobility increases with thicker Si cap layer for single channel structure, whereas it decreases with thicker Si cap layer for dual channel. This hole mobility characteristics could be easily explained by a simple capacitance model.
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C.W. Leitz / 2001 / High mobility enhancements in strained-Si/Si Ge p-type metal?oxide?semiconductor field-effect transistor grown on relaxed SiGe virtual substrates / Appl.
G. Hock / 2000 / High hole mobility in Si Ge channel metal?oxide?semiconductor field- effect transistors grown by plasma- enhanced chemical vapor deposition / Semicond. Sci.
J. Jung / 2003 / Implementation of both high-hole and electron mobility in strained-Si-strained-SiGe on relaxed SiGe virtual substrate / IEEE Electron Device Lett 24 : 460 ~
J. Welser / 1994 / Electron mobility enhancement in strained -Si n-type metal oxide silicon field-effect transistors / IEEE Electron Devices Lett 15 : 100 ~
K. Rim / 2002 / Characteristics and device design of sub 100-nm strained Si n- and p-MOSFETs / Symp. VLSI Tech. Dig. : 98 ~
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