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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 695 - 698 (4page)
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We investigated the characteristics of Strained-Si-on-Insulator (sSOI) MOSFETs with 0.7 % tensile strain. The sSOI MOSFETs have superior subthreshold swing under 70 mV/dec and output current. Especially, the electron and hole were increased in sSOI MOSFET. The electron and hole mobility in sSOI MOSFET were 286 ㎠/Vs and 151 ㎠/Vs, respectively. The carrier mobility enhancement is due to the subband splitting by 0.7 % tensile strain.
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D.R. Black / 2006 / Imaging defect in strained- silicon thin films by glancing-incidence / Appl. Phys. Lett 88 : 224102 ~
G. Xia / 2007 / Interdiffusion in strained Si/strained SiGe epitaxial heterostructures / Semicond. Sci. Technol 22 : 55 ~
L.J. Huang / 2001 / Carrier Mobility Enhancement in Strained Si-on- insulator Fabricated by Wafer Bonding / IEEE VLSI Symp. : 57 ~
S. Tagaki / 2003 / Channel Structure Design, Fabrication and Carrier Transport Properties of Strained-Si/SiGe-on-insulator (Strained- SOI) MOSFETs / IEDM : 57 ~
S. Tagaki / 2005 / Sub-band structure engineering for advanced CMOS channels / Solid-State Electronics 49 : 684 ~
G. Xia / 2007 / Interdiffusion in strained Si/strained SiGe epitaxial heterostructures / Semicond. Sci. Technol 22 : 55 ~
L.J. Huang / 2001 / Carrier Mobility Enhancement in Strained Si-on- insulator Fabricated by Wafer Bonding / IEEE VLSI Symp. : 57 ~
S. Tagaki / 2003 / Channel Structure Design, Fabrication and Carrier Transport Properties of Strained-Si/SiGe-on-insulator (Strained- SOI) MOSFETs / IEDM : 57 ~
S. Tagaki / 2005 / Sub-band structure engineering for advanced CMOS channels / Solid-State Electronics 49 : 684 ~
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