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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제42권 제5호
발행연도
2005.5
수록면
1 - 8 (8page)

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본 연구에서는 MOSFET의 RF 성능에 영향을 미치는 게이트 분포효과를 고려하여 RC 병렬 게이트 모델을 사용하였으며, 측정된 S-파라미터로부터 모델 파라미터들을 직접 추출하기 위해 Y₁₁-파라미터를 기초로 한 추출 방정식들이 사용되었다. 이와 같이 추출된 RC 병렬 게이트 모델은 10GHz 이상의 고주파 영역에서 기존 Rg 모델보다 측정된 S-파라미터와 더 잘 일치하는 것을 확인하였으며, 이는 게이트 모델 및 추출방법의 정확도를 증명한다. 이러한 방법을 사용하여 RC 병렬 게이트 모델 파라미터들의 게이트 전압 종속 곡선을 새롭게 추출하였으며, 이러한 추출 데이터는 RF 비선형 게이트 모델 개발에 유용하게 사용될 것이다.

목차

요약

Abstract

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 모델 파라미터 추출

Ⅲ. 추출된 파라미터의 Bias 종속곡선

Ⅳ. 결론

참고문헌

저자소개

참고문헌 (10)

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[학술지(정기간행물)] - N. Camilleri / 1993. / the microwave device technology for the 90s : 545 ~ 548 google schola [학술지(정기간행물)] - S. Wind / 1993. / High performance 0.1um CMOS devices with 1.5V power supply : 127 ~ 130 google schola [학술지(정기간행물)] - M. Bagheri / 1985. / A small-signal DC-to-high frequency nonquasistatic model for the four-terminal MOSFET valid in all regions of operation : 2383 ~ 2391 google schola [학술지(정기간행물)] - P. J. V. Vandeloo / 1989.07 / Modeling of the MOS transistor for high frequency analog design : 713 ~ 723 google schola [학술지(정기간행물)] - L.-S. Kim / dec.1989. / Modeling of the distributed gate RC effect in MOSFET's 8 : 1365 ~ 1367 google schola

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