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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE JOUNAL OF SEMICONDUCTOR THCHNOLOGY AND SCIENCE Vol.4 No.3
- 발행연도
- 2004.9
- 수록면
- 189 - 195 (7page)
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A 10 Gb/s limiting amplifier IC with the emitter area of 1.5×10um² for optical transmission system was designed and fabricated with a AIGaAs/ GaAs HBT> technology. In this study, we evaluated fine pitch bump using WL-CSP (Wafer Level-Chip Scale Packaging) instead of conventional wire bonding for interconnection. For this we developed WL-CSP process and formed fine pitch solder bnmp with the 40l'm diameter and 100l'm pitch on bonding pad. To study the errect of WL-CSP, electrical performance was measured and analyzed in wafer and package module nsing WL-CSP. In a package module, clear and wide eye diagram openings were obsened and the rise/fall times were about 100ps, and the output voltage swing was limited to 600mVp.p with input voltage ranging from SO to 500m V. The Small signal gains in wafer and package module were l5.56dB and l4.99dB respectively. It was found that the difference of small signal gain in wafer and package module was less then 0.57dB up to 10GHz and the characteristics of return loss was improved by 5dB in package module. This is due to the short interconnection length by WL-CSP. So, WL.CSP process can be used for millimeter wave GaAs MMIC with the fine pitch pad.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. CITCUIT DESIGN
Ⅲ. IC FABRICATION AND PACKAGING
Ⅳ. ELECTRICAL PERFORMANCE
Ⅴ. CONCLUSIONS
REFERENCES
저자소개
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