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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.7
- 수록면
- 509 - 514 (6page)
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나노 급 소자에서의 성능이 유효 채널 길이에 대하여 더욱 민감하게 되므로 정확한 유효 채널 길이의 추출이 중요하다. 본 논문에서는 100 nm 이하의 MOSFET에서 유효 채널 길이를 추출하기 위하여 새로운 정전용량 전압(Capacitance Voltage) 방법을 제안 하였다. 제안한 방법에서는 게이트와 소스와 드레인 사이의 정전용량(Cged)를 측정하여 유효 채널 길이를 추출하였다. 그리고 추출된 유효 채널 길이와 기존의 1/β과 Terada 방법 그리고 다른 정전용량 전압 방법의 추출된 유효 채널 길이의 결과들과 비교하여 본 논문에서 제안한 추출방법이 100 nm 이하 크기의 MOSFET의 유효 채널 길이를 추출함에 타당함을 증명 하였다.
목차
요약
Abstract
1.서론
2.게이트와 소스와 드레인의 정전용량 측정 및 유효 채널 길이 추출방법
3.유효 채널 길이 추출 결과
4.결론
참고문헌
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