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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2002.10
- 수록면
- 1 - 8 (8page)
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C-V 방법은 소형화된 MOSFET에서 effective channel length(Leff)를 추출하기 위한 방법 중 한가지이다. 이 방법은 critical gate bias point에서 channel length에 영향을 받지 않는 extrinsic overlap 영역의 길이(△L)를 구하여 L_(eff)를 추출하게 된다. 본 논문에서는 서로 다른 두 개의 C-V 방법에 대해 실험을 수행하였다. 그리고 실험으로 추출한 값과 2차원 소자 시뮬레이터의 결과를 비교하여 C-V 방법의 정확도를 분석하였다.
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