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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.10
- 수록면
- 62 - 66 (5page)
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본 연구에서는 측정된 S-파라미터를 사용하여 드레인-소스 전압 Vds에 무관한 게이트-소스 overlap 캐패시턴스를 추출하고, 이를 바탕으로 deep-submicron MOSFET의 Vds 종속 게이트-벌크 캐패시턴스 곡선을 추출하는 RF 방법이 새롭게 개발되었다. 추출된 캐패시턴스 값들을 사용한 등가회로 모델과 측정된 데이터가 잘 일치하는 것을 관찰함으로써 추출방법의 정확도가 검증되었다. 추출된 데이터로부터 overlap과 depletion 길이의 Vds 종속 곡선이 얻어졌으며, 이를 통해 drain 영역의 채널 도핑 분포를 실험적으로 측정하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (10)
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1. [학술지(정기간행물)] - 고봉혁 / 2010 / 고온 종속 RF MOSFET 캐패시턴스-전압 곡선 추출 및 모델링 / 전자공학회논문지 - SD 47 (10) : 1 ~ 6
2. [학술지(정기간행물)] - 이성현 / 201011 / RF extraction method for source/drain overlap and depletion length of deep-submicron RF MOSFETs using intrinsic gate-bulk capacitance / ELECTRONICS LETTERS 46 (23) : 1566 ~ 1567
3. [학술대회논문] - T.S. Hsieh / 2001 / A new Leff extraction approach for devices with pocket implants / Proc. IEEE Int. Conf. on Microelectronic Test Structure : 15 ~ 18
4. [학술대회논문] - A. Ferrero / 1991 / QSOLT: A new fast calibration algorithm for two port S parameter measurements / 38th ARFTG Conference Digest : 15 ~ 24
5. [학술지(정기간행물)] - 이성현 / 200808 / Uncertainty analysis of two-step and three-step methods for deembedding on-wafer RF transistor measurements / IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 55 (8) : 2195 ~ 2201
2. [학술지(정기간행물)] - 이성현 / 201011 / RF extraction method for source/drain overlap and depletion length of deep-submicron RF MOSFETs using intrinsic gate-bulk capacitance / ELECTRONICS LETTERS 46 (23) : 1566 ~ 1567
3. [학술대회논문] - T.S. Hsieh / 2001 / A new Leff extraction approach for devices with pocket implants / Proc. IEEE Int. Conf. on Microelectronic Test Structure : 15 ~ 18
4. [학술대회논문] - A. Ferrero / 1991 / QSOLT: A new fast calibration algorithm for two port S parameter measurements / 38th ARFTG Conference Digest : 15 ~ 24
5. [학술지(정기간행물)] - 이성현 / 200808 / Uncertainty analysis of two-step and three-step methods for deembedding on-wafer RF transistor measurements / IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 55 (8) : 2195 ~ 2201
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