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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2002.5
- 수록면
- 1 - 7 (7page)
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현재 VLSI(Very Large Scale Integrated Circuit) 및 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 소자에서는 게이트 전극용 금속-실리사이드 재료로 플로린을 포함한 화합물의 영향이 적은 티타늄 실리사이드(TiSi₂) 물질이 주로 사용되고 있다. 그러나 이에 대한 많은 연구가 수행되어 왔으나 서브마이크론 게이트 산화막에 대하여 우수한 전기적 특성과 양호한 신뢰성을 얻을 수 있는 방법들에 대한 연구가 이루어지고 있지 않아 본 연구에서는 서브 0.1㎛급 MOSFET에 대하여 STI 구조를 형성하고 게이트전극으로 2 단계(Two Step) 티타늄 형성방법을 통하여 우수한 특성을 얻고자 하였다. 형성된 MOSFET의 물리적인 특성은 FIB-TEM을 이용하여 STI(Shallow Trench Isolation) 단면에 대한 성공적인 구조를 확인할 수 있었으며 전기적인 특성으로는 STI의 경우 56.1∼58.3 Cm²/V.Sec 정도의 낮은 PMOS의 이동도값과 높은 절연파괴값을 얻을수 있었다. 트랜지스터 특성면에서는 스윙(V??, Subthreshold Swing(SS), mV/de.)값에 대하여 전체적으로 STI의 경우가 NSLOCOS에 비하여 게이트 전압값의 변화가 적게 나타나는 결과를 얻었다. 드레인포화전류(I??, Saturation Current, A)값은 전체적으로 면적이 큰 경우에 비하여 적은 면적에서 전류양의 변화가 크게 나타난 결과를 얻었으며 전압이 증가하면 포화전류값도 조금 증가하는 경향을 나타내었다. 또한 Vds가 2.0/A(15×15㎛²)에서 STI의 경우 -2.57e-5∼-4.0e-5, NSLOCOS 의 경우 -1.27e-5∼-3.2e-5 값을 나타내어 STI의 경우가 NSLOCOS에 비하여 조금 큰 포화전류값을 나타내었다. 전달전도도(gm, Transconductance, [S]=1/ohm) 값에서는 0.2×0.2㎛²에서 PMOS 경우 6.48e＾-4∼6.42e＾-4 인 반면 NMOS 경우 6.27e＾-4∼6.24e＾-4정도로 PMOS 영역의 경우가 N형 영역의 값에 비하여 큰 값을 나타내었다. 이러한 결과로부터, 서브 0.1㎛급의 초 고집적회로 소자에 대한 특성은 본 연구에서 제시된 STI 필드산화막 형성방법과 2 단계 티타늄실리사이드 형성방법을 통한 게이트전극층 형성공정으로 우수한 소자 특성을 얻을 수 있을 것으로 사료된다.
목차
Ⅰ. 서 론
Ⅱ. 본 론
Ⅲ. 결 론
참고문헌
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