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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제38권 제11호
발행연도
2001.11
수록면
7 - 16 (10page)

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이 논문의 연구 히스토리 (19)

2001

ULSI급 CMOS 소자 특성 분석을 위한 몬테 카를로 이온 주입 공정 시뮬레이션시의 효율적인 가상 이온 발생법
손명식 ,  이진구 전자공학회논문지-SD 2001.11 학술저널

1998

연속 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션
손명식 ,  박수현 ,  황호정 대한전자공학회 학술대회 1998.11 학술대회자료
연속 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션 ( Modeling and Simulation of Multiple Implantation Process )
손명식 ,  박수현 ,  황호정 대한전자공학회 학술대회 1998.11 학술대회자료
3차원 몬테 카를로 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션 : 효율적인 가상 궤적 발생 알고리듬 ( Three-Dimensional Monte Carlo Modeling and Simulation of Ion Implantation Process : an Efficient Virtual Trajectory Split Approach )
손명식 ,  황호정 전자공학회논문지-D 1998.03 학술저널

1997

단결성 〈100〉GaAs 기판에서의 3차원 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션
손명식 ,  황호정 대한전자공학회 학술대회 1997.11 학술대회자료
단결정 ＜ 100 ＞ GaAs 기판에서의 3차원 이온 주입공정 모델링 및 시뮬레이션 ( A Three-Dimensional Monte Carlo Modeling and Simulation of Ion Implementation Into 〈 100 〉 Single-Crystal GaAs )
손명식 ,  황호정 대한전자공학회 학술대회 1997.11 학술대회자료
ULSI CMOS 공정 기술 개발 및 제조를 위한 물리적 토대의 3차원 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션 ( Physically-Based Three-Dimensional Implant Modeling and Simulation for ULSI CMOS Process Technology Development and Manufacturing )
손명식 ,  황호정 대한전자공학회 학술대회 1997.07 학술대회자료
3차원 몬테 카를로 이온주입 공정 모델링 : 3차원 잡음 영역을 최소화하기 위한 효율적인 가상 궤적 발생 알고리듬 ( Three-Dimensional Monte Carlo Modeling of Ion Implantation : Development of an Efficient 3D Virtual Trajectory Split Algorithm )
손명식 ,  황호정 대한전자공학회 학술대회 1997.07 학술대회자료
3차원 몬테 카를로 이온 주입 공정 모델링 : 3차원 잡음 영역을 최소화하기 위한 효율적인 가상 궤적 발생 알고리듬
손명식 ,  황호정 대한전자공학회 학술대회 1997.06 학술대회자료
이온 주입 시의 점결함 발생과 재결합에 관한 3차원 몬테 카를로 모델링 및 시뮬레이션 ( Three - Dimensional Monte Carlo Modeling and Simulation of Point Defect Generation and Recombination During Ion Implantation )
손명식 ,  황호정 전자공학회논문지-D 1997.05 학술저널
Three-Dimensional Full-Dynamic Damage Model for Ion Implantation into Crystalline Silicon
손명식 ,  황호정 대한전자공학회 학술대회 1997.01 학술대회자료

1996

단결정 실리콘에서의 3차원 몬테 카를로 이온 주입 모델링 : 완전 역동 손상 모델 ( Three-Dimensional Monte CArlo Modeling of Ion Implantation Into Crystalline Silicon : Full Dynamic DAmage Model )
손명식 ,  송영진 ,  황호정 대한전자공학회 학술대회 1996.11 학술대회자료
Monte Carlo Calculation of Implanted Boron and its Generating Point Defect Distributions in Crystalline Silicon
손명식 ,  이준하 ,  변기량 외 1명 대한전자공학회 학술대회 1996.01 학술대회자료

1995

Monte Carlo 시뮬레이션을 이용한 단결정 실리콘에서의 이온 주입 불순물 농도 분포 및 점결함 분포의 계산
손명식 ,  이준하 ,  변기량 외 1명 대한전자공학회 학술대회 1995.12 학술대회자료
Monte Carlo 시뮬레이션을 이용한 단결정 실리콘에서 이온주입 불순물 농도 분포 및 점결함 분포의 계산 ( Monte Carlo Calculation of particle and Point Defect Distributions for Ion-Implanted Dopant in Crystalline Silicon )
손명식 ,  이준하 ,  변기량 외 1명 대한전자공학회 학술대회 1995.11 학술대회자료
< 100 > 방향 실리콘 단결정에서의 저 에너지 붕소 이온 주입 공정에 대한 3차원 몬테 카를로 시뮬레이션 및 마스크 효과 ( Three-dimensional Monte Carlo Simulation and Mask Effect of Low-Energy Boron Ion Implantation into < 100 > Single-Crystal Silicon )
손명식 ,  이준하 ,  송영진 외 1명 전자공학회논문지-A 1995.08 학술저널
저 에너지 Boron 이온 주입 공정에 대한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션
손명식 ,  권오근 ,  이준하 외 2명 대한전자공학회 학술대회 1995.01 학술대회자료

1994

단결정 실리콘 <100> 에서의 저 에너지 Born 주입을 위한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션
손명식 ,  이준하 ,  박화식 외 1명 대한전자공학회 학술대회 1994.11 학술대회자료
단결정 실리콘 < 100 > 에서의 저 에너지 Boron 주입을 위한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션 ( A Three-dimensional Monte Carlo simulation of Low-Energy Boron implantation into < 100 > single-Crystal silicon )
손명식 ,  이준하 ,  박화식 외 1명 대한전자공학회 학술대회 1994.11 학술대회자료

초록· 키워드

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ULSI급 CMOS 소자를 개발, 제작하고 또한 그것의 전기적 특성을 정확히 분석하기 위해서는 공정 및 소자 시뮬레이터의 사용이 필수적이다. 대면적 몬테 카를로 시뮬레이션 결과가 다차원 소자 시뮬레이터의 입력으로 사용되려면 과도한 입자수의 증가로 비효율성을 띄게 된다. 본 논문에서는 이러한 문제를 해결하기 위해 3차원 몬테 카를로 이온 주입 시뮬레이터인 TRICSI 코드를 이용하여 물리적으로 타당하며 또한 효율적으로 시뮬레이션 입자 수를 증가시켜 대면적 이온 주입시의 3차원 통계 분포의 잡음 영역을 최소화 하는 방법을 제안하였다. 후속 공정인 열확산 공정이나 RTA(급속 열처리) 공정의 확산 방정식을 푸는 경우 발산을 막기 위해 몬테 카를로 시뮬레이션 결과의 통계 분포에 대한 후처리 과정으로 3차원 셀을 이용한 보간 알고리듬을 적용하였다. 시뮬레이션 수행 결과 가상 궤적 발생법(split-trajectory method)만을 사용한 것에 비해 계산 시간은 2배로 늘이지 않는 범위에서 10배 이상의 이온 입자 생성 분포를 얻을 수 있었다.

목차

1. 서론

2. 이온 불순물 분포에 대한 3차원 잡음 영역 최소화 방법

4. 3차원 몬테 카를로 시뮬레이션 적용 결과

5. 결론

참고문헌

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