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이용수
2001
1998
1997
1996
1995
1994
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. GaAs 기판에서 채널링 현상을 모델링 하기 위한 충돌 탐색 알고 리듬
Ⅲ. GaAs 기판에 실리콘 이온 주입시의 모델링 변수
Ⅳ. 시뮬레이션 결과
Ⅴ. 결론
참고문헌
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대한전자공학회 학술대회
1997 .11
단결정 실리콘 <100> 에서의 저 에너지 Born 주입을 위한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션
대한전자공학회 학술대회
1994 .11
Co/GaAs 계면 반응에 미치는 GaAs 기판의 표면처리 영향
한국재료학회 학술발표대회
1994 .01
Full 밴드 몬테칼로 시뮬레이션을 이용한 GaAs 임팩트이온화에 관한 연구 ( Impact Ionization for GaAs using Full Band Monte Carlo Simulation )
전자공학회논문지-A
1996 .11
3차원 몬테카를로 이온주입 시뮬레이터의 개발
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
3차원 몬테카를로 이온주입 시뮬레이터의 개발 ( Development of Three-Dimensional Monte Carlo Ion implantation Simulator )
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
A Novel Method for the Growth of High Quality GaAs Single Crystals
대한전자공학회 학술대회
1995 .01
PECVD방법으로 형성한 $W_{67}N_{33}$/GaAs구조의 열적 특성
한국재료학회지
1993 .01
Monte Carlo Method에 의한 GaAs의 Hydrodynamic Model Parameter의 추출 ( Extraction of Hydrodynamic Model Parameters for GaAs Using the Monte Carlo Method )
전자공학회논문지
1990 .03
Monte Carlo Method에 의한 GaAs의 Hydrodynamic Model Parameter의 계산 ( Calculations of Hydrodynamic Model Parameters for GaAs Using the Monte Carlo Method )
대한전자공학회 학술대회
1988 .11
Monte-Carlo 시뮬레이션에 의한 GaAs MESFET의 전자전송해석 ( Analysis of Electron transport in GaAs MESFET Using Monte-Carlo Simulation )
대한전자공학회 학술대회
1989 .07
3차원 몬테 카를로 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션 : 효율적인 가상 궤적 발생 알고리듬 ( Three-Dimensional Monte Carlo Modeling and Simulation of Ion Implantation Process : an Efficient Virtual Trajectory Split Approach )
전자공학회논문지-D
1998 .03
연속 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션 ( Modeling and Simulation of Multiple Implantation Process )
대한전자공학회 학술대회
1998 .11
연속 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션
대한전자공학회 학술대회
1998 .11
풀밴드 GaAs Monte Carlo 시뮬레이션을 위한 최적사면체격자의 발생 ( Generation of a adaptive tetrahedral refinement mesh for GaAs full band Monte Carlo simulation )
전자공학회논문지-D
1997 .07
GaAs Technology
대한전자공학회 학술대회
1988 .01
n-GaAs의 AuGe 이온주입 효과 ( The effect of AuGe ion implantation in n-GaAs )
대한전자공학회 학술대회
1987 .11
저 에너지 Boron 이온 주입 공정에 대한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션
대한전자공학회 학술대회
1995 .01
단결정 실리콘 < 100 > 에서의 저 에너지 Boron 주입을 위한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션 ( A Three-dimensional Monte Carlo simulation of Low-Energy Boron implantation into < 100 > single-Crystal silicon )
대한전자공학회 학술대회
1994 .11
이온 주입 시의 점결함 발생과 재결합에 관한 3차원 몬테 카를로 모델링 및 시뮬레이션 ( Three - Dimensional Monte Carlo Modeling and Simulation of Point Defect Generation and Recombination During Ion Implantation )
전자공학회논문지-D
1997 .05
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