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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 1997.11
- 수록면
- 517 - 520 (4page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (19)
2001
1998
연속 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션
손명식
,
박수현
,
황호정
대한전자공학회 학술대회
1998.11
학술대회자료
연속 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션 ( Modeling and Simulation of Multiple Implantation Process )
손명식
,
박수현
,
황호정
대한전자공학회 학술대회
1998.11
학술대회자료
3차원 몬테 카를로 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션 : 효율적인 가상 궤적 발생 알고리듬 ( Three-Dimensional Monte Carlo Modeling and Simulation of Ion Implantation Process : an Efficient Virtual Trajectory Split Approach )
손명식
,
황호정
전자공학회논문지-D
1998.03
학술저널
1997
단결성 〈100〉GaAs 기판에서의 3차원 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션
손명식
,
황호정
대한전자공학회 학술대회
1997.11
학술대회자료
단결정 ＜ 100 ＞ GaAs 기판에서의 3차원 이온 주입공정 모델링 및 시뮬레이션 ( A Three-Dimensional Monte Carlo Modeling and Simulation of Ion Implementation Into 〈 100 〉 Single-Crystal GaAs )
손명식
,
황호정
대한전자공학회 학술대회
1997.11
학술대회자료
ULSI CMOS 공정 기술 개발 및 제조를 위한 물리적 토대의 3차원 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션 ( Physically-Based Three-Dimensional Implant Modeling and Simulation for ULSI CMOS Process Technology Development and Manufacturing )
손명식
,
황호정
대한전자공학회 학술대회
1997.07
학술대회자료
3차원 몬테 카를로 이온주입 공정 모델링 : 3차원 잡음 영역을 최소화하기 위한 효율적인 가상 궤적 발생 알고리듬 ( Three-Dimensional Monte Carlo Modeling of Ion Implantation : Development of an Efficient 3D Virtual Trajectory Split Algorithm )
손명식
,
황호정
대한전자공학회 학술대회
1997.07
학술대회자료
3차원 몬테 카를로 이온 주입 공정 모델링 : 3차원 잡음 영역을 최소화하기 위한 효율적인 가상 궤적 발생 알고리듬
손명식
,
황호정
대한전자공학회 학술대회
1997.06
학술대회자료
이온 주입 시의 점결함 발생과 재결합에 관한 3차원 몬테 카를로 모델링 및 시뮬레이션 ( Three - Dimensional Monte Carlo Modeling and Simulation of Point Defect Generation and Recombination During Ion Implantation )
손명식
,
황호정
전자공학회논문지-D
1997.05
학술저널
Three-Dimensional Full-Dynamic Damage Model for Ion Implantation into Crystalline Silicon
손명식
,
황호정
대한전자공학회 학술대회
1997.01
학술대회자료
1996
단결정 실리콘에서의 3차원 몬테 카를로 이온 주입 모델링 : 완전 역동 손상 모델 ( Three-Dimensional Monte CArlo Modeling of Ion Implantation Into Crystalline Silicon : Full Dynamic DAmage Model )
손명식
,
송영진
,
황호정
대한전자공학회 학술대회
1996.11
학술대회자료
Monte Carlo Calculation of Implanted Boron and its Generating Point Defect Distributions in Crystalline Silicon
손명식
,
이준하
,
변기량
외 1명
대한전자공학회 학술대회
1996.01
학술대회자료
1995
Monte Carlo 시뮬레이션을 이용한 단결정 실리콘에서의 이온 주입 불순물 농도 분포 및 점결함 분포의 계산
손명식
,
이준하
,
변기량
외 1명
대한전자공학회 학술대회
1995.12
학술대회자료
Monte Carlo 시뮬레이션을 이용한 단결정 실리콘에서 이온주입 불순물 농도 분포 및 점결함 분포의 계산 ( Monte Carlo Calculation of particle and Point Defect Distributions for Ion-Implanted Dopant in Crystalline Silicon )
손명식
,
이준하
,
변기량
외 1명
대한전자공학회 학술대회
1995.11
학술대회자료
< 100 > 방향 실리콘 단결정에서의 저 에너지 붕소 이온 주입 공정에 대한 3차원 몬테 카를로 시뮬레이션 및 마스크 효과 ( Three-dimensional Monte Carlo Simulation and Mask Effect of Low-Energy Boron Ion Implantation into < 100 > Single-Crystal Silicon )
손명식
,
이준하
,
송영진
외 1명
전자공학회논문지-A
1995.08
학술저널
저 에너지 Boron 이온 주입 공정에 대한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션
손명식
,
권오근
,
이준하
외 2명
대한전자공학회 학술대회
1995.01
학술대회자료
1994
단결정 실리콘 <100> 에서의 저 에너지 Born 주입을 위한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션
손명식
,
이준하
,
박화식
외 1명
대한전자공학회 학술대회
1994.11
학술대회자료
단결정 실리콘 < 100 > 에서의 저 에너지 Boron 주입을 위한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션 ( A Three-dimensional Monte Carlo simulation of Low-Energy Boron implantation into < 100 > single-Crystal silicon )
손명식
,
이준하
,
박화식
외 1명
대한전자공학회 학술대회
1994.11
학술대회자료
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단결성 〈100〉GaAs 기판에서의 3차원 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션
대한전자공학회 학술대회
1997 .11
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단결정 실리콘 <100> 에서의 저 에너지 Born 주입을 위한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션
대한전자공학회 학술대회
1994 .11
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Co/GaAs 계면 반응에 미치는 GaAs 기판의 표면처리 영향
한국재료학회 학술발표대회
1994 .01
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Full 밴드 몬테칼로 시뮬레이션을 이용한 GaAs 임팩트이온화에 관한 연구 ( Impact Ionization for GaAs using Full Band Monte Carlo Simulation )
전자공학회논문지-A
1996 .11
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A Novel Method for the Growth of High Quality GaAs Single Crystals
대한전자공학회 학술대회
1995 .01
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PECVD방법으로 형성한 $W_{67}N_{33}$/GaAs구조의 열적 특성
한국재료학회지
1993 .01
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Monte Carlo Method에 의한 GaAs의 Hydrodynamic Model Parameter의 추출 ( Extraction of Hydrodynamic Model Parameters for GaAs Using the Monte Carlo Method )
전자공학회논문지
1990 .03
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Monte Carlo Method에 의한 GaAs의 Hydrodynamic Model Parameter의 계산 ( Calculations of Hydrodynamic Model Parameters for GaAs Using the Monte Carlo Method )
대한전자공학회 학술대회
1988 .11
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Monte-Carlo 시뮬레이션에 의한 GaAs MESFET의 전자전송해석 ( Analysis of Electron transport in GaAs MESFET Using Monte-Carlo Simulation )
대한전자공학회 학술대회
1989 .07
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단결정 실리콘 < 100 > 에서의 저 에너지 Boron 주입을 위한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션 ( A Three-dimensional Monte Carlo simulation of Low-Energy Boron implantation into < 100 > single-Crystal silicon )
대한전자공학회 학술대회
1994 .11
-
풀밴드 GaAs Monte Carlo 시뮬레이션을 위한 최적사면체격자의 발생 ( Generation of a adaptive tetrahedral refinement mesh for GaAs full band Monte Carlo simulation )
전자공학회논문지-D
1997 .07
-
GaAs Technology
대한전자공학회 학술대회
1988 .01
-
< 100 > 방향 실리콘 단결정에서의 저 에너지 붕소 이온 주입 공정에 대한 3차원 몬테 카를로 시뮬레이션 및 마스크 효과 ( Three-dimensional Monte Carlo Simulation and Mask Effect of Low-Energy Boron Ion Implantation into < 100 > Single-Crystal Silicon )
전자공학회논문지-A
1995 .08
-
저 에너지 Boron 이온 주입 공정에 대한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션
대한전자공학회 학술대회
1995 .01
-
고효율 GaAs / GaAs p-n, p-i-n 태양전지에 관한 연구
한국태양에너지학회 학술대회논문집
1999 .04
-
GaAs 반도체 공정기술 개발 연구 ( A Study on the Development of the Process Technology of GaAs Semiconductor )
한국통신학회 학술대회논문집
1987 .01
-
GaAs 반도체 공정기술 개발 연구 ( Study on the Development of the Process Technology of GaAs Semiconductor )
특정연구 결과 발표회 논문집
1987 .01
-
풀밴드 몬테카를로 방법을 이용한 GaAs 임팩트이온화의 온도 의존성에 관한 연구
한국정보통신학회논문지
2000 .09
-
레이저 CVD를 이용한 GaAs/GaAs 및 GaAs/Si 결정성장연구
대한전기학회 학술대회 논문집
1989 .07
-
액체금속이온이 주입된 p형 GaAs의 오옴성 접촉 ( Ohmic Contact of p-type GaAs Implanted the Liquid Metal Ion )
전자공학회논문지
1989 .09
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