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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제39권 제8호
발행연도
2002.8
수록면
12 - 16 (5page)

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산화인듐(ITO)박막은 대기압 저온 플라스마에 의해 식각이 가능하다는 것을 확인했다. 식각은 수소유량 4 sccm에서 가장 깊게 발생하여, 120Å/min를 나타내었다. 식각속도는 Hα*의 발광강도와 대응하였다. ITO 박막의 식각 메커니즘은 Hα*에 의해 환원이 된후, 남게 된 금속 화합물은 CH*과 반응하여 기판으로부터 이탈한다고 생각된다. 식각은 식각시간 50초 이상에서부터, 기판온도145℃ 이상부터 발생하기 시작하였다. 활성화 에너지는 Arrehenius plots으로부터 0.16eV(3.75Kcal/mole)를 얻었다

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