3차원 몬테카를로 이온주입 시뮬레이터의 개발 ( Development of Three-Dimensional Monte Carlo Ion implantation Simulator )

송재복 ,  원태영

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

3차원 몬테카를로 이온주입 시뮬레이터의 개발

송재복 ,  원태영

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

단결정 실리콘 <100> 에서의 저 에너지 Born 주입을 위한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션

손명식 ,  이준하 ,  박화식 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

저 에너지 Boron 이온 주입 공정에 대한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션

손명식 ,  권오근 ,  이준하 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

Monte Carlo Simulation of Ion Implantation Profiles Calibrated for Various Ions over Wide Energy Range

Kunihi ,  o SUZUKI ,  Yoko TADA 외 2명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2009 .03

국부 셀 격자 결함 모델을 사용한 극 저 에너지 이온 주입에 관한 연구 ( A Study on the Ultra-Low Energy Ion Implantation using Local Cell Damage Accumulation Model )

권오근 ,  강정원 ,  황호정

전자공학회논문지-D

1999 .07

단결성 〈100〉GaAs 기판에서의 3차원 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션

손명식 ,  황호정

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

단결정 실리콘 < 100 > 에서의 저 에너지 Boron 주입을 위한 3차원 Monte Carlo 시뮬레이션 ( A Three-dimensional Monte Carlo simulation of Low-Energy Boron implantation into < 100 > single-Crystal silicon )

손명식 ,  이준하 ,  박화식 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .11

RF 에칭 시스템에서 이온의 몬테카를로 시뮬레이션 ( Monte Carlo Simulation of Ion in an FR Plasma Etching System )

반용찬 ,  이제희 ,  윤상호 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

이온 주입 시의 점결함 발생과 재결합에 관한 3차원 몬테 카를로 모델링 및 시뮬레이션 ( Three - Dimensional Monte Carlo Modeling and Simulation of Point Defect Generation and Recombination During Ion Implantation )

손명식 ,  황호정

전자공학회논문지-D

1997 .05

단결정 실리콘에서의 3차원 몬테 카를로 이온 주입 모델링 : 완전 역동 손상 모델 ( Three-Dimensional Monte CArlo Modeling of Ion Implantation Into Crystalline Silicon : Full Dynamic DAmage Model )

손명식 ,  송영진 ,  황호정

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

3차원 몬테 카를로 이온주입 공정 모델링 : 3차원 잡음 영역을 최소화하기 위한 효율적인 가상 궤적 발생 알고리듬 ( Three-Dimensional Monte Carlo Modeling of Ion Implantation : Development of an Efficient 3D Virtual Trajectory Split Algorithm )

손명식 ,  황호정

대한전자공학회 학술대회

1997 .07

3차원 몬테 카를로 이온 주입 공정 모델링 : 3차원 잡음 영역을 최소화하기 위한 효율적인 가상 궤적 발생 알고리듬

손명식 ,  황호정

대한전자공학회 학술대회

1997 .06

3차원 몬테 카를로 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션 : 효율적인 가상 궤적 발생 알고리듬 ( Three-Dimensional Monte Carlo Modeling and Simulation of Ion Implantation Process : an Efficient Virtual Trajectory Split Approach )

손명식 ,  황호정

전자공학회논문지-D

1998 .03

단결정 실리콘에서의 3차원 몬테 카를로 이온 주입 모델링 : 완전 역동 손상 모델

선명식 ,  황호정 ,  송영진

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

RF 에칭 시스템에서 이온의 몬테카를로 시뮬레이션

반용찬 ,  이제희 ,  윤상호 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1997 .11

< 100 > 방향 실리콘 단결정에서의 저 에너지 붕소 이온 주입 공정에 대한 3차원 몬테 카를로 시뮬레이션 및 마스크 효과 ( Three-dimensional Monte Carlo Simulation and Mask Effect of Low-Energy Boron Ion Implantation into < 100 > Single-Crystal Silicon )

손명식 ,  이준하 ,  송영진 외 1명

전자공학회논문지-A

1995 .08

이온주입 특성 개선을 위한 분자동역학적 연구

양영준 ,  이치우

에너지공학

2009 .06

분자 동역학을 이용한 점 결함 및 극 저 에너지 실리콘 이온 주입에 관한 연구 ( A Study on the Silicon Point Defects and Ultra-Low Energy Si Ion Implantation using Classical Molecular Dynamics )

Jeong Won Kang ,  Myung Sik Son ,  Ki Ryang Byun 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .07

분자 동역학을 이용한 점 결함 및 극 저 에너지 실리콘 이온 주입에 관한 연구

Jeong-Won Kang ,  Myung-Sik Son ,  Ki-Ryang Byun 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .06