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N2O 산화막을 갖는 MOS 캐패시터의 전기적 및 신뢰성 특성 ( Electrical and Reliability properties of MOS Capacitors with N2O oxides )
전자공학회논문지-A
1994 .06
PMOS에 적합한 Mo 전극의 전기적 화학적 안정성
전자공학회논문지-SD
2004 .04
차세대 기억소자의 캐패시터 형성 기술
전자공학회지
1990 .08
하이브리드 전극을 활용한 고효율 슈퍼캐패시터 제작에 관한 연구
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2014 .04
동작속도가 빠른 Mo2N/Mo 게이트 MOS 집적회로 ( High Speed Mo2N/Mo-Gate MOS Integrated Circuit )
전자공학회지
1985 .07
게이트 물질을 달리한 MOS소자의 플라즈마 피해에 대한 신뢰도 특성 분석
한국정보통신학회논문지
2000 .06
D MOS , V MOS tr. 등 특수구조를 갖는 MOS소자의 설계
대한전자공학회 단기강좌
1983 .01
플라즈마 식각 공정이 N2O 산화막과 순수한 산화막을 갖는 MOS 소자 특성에 미치는 영향에 관한 연구 ( A Study on the Effect of Plasma Etching Process on the Characteristics of MOS Devices with N2O and Pure Gate Oxides )
전자공학회논문지-A
1996 .09
미세소자의 게이트 산화막 두께에 따른 전하포획 효과의 고찰
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
증착시 도핑된 비정질 Si을 게이트로 갖는 MOS캐패시터와 트랜지스터의 전기적 특성
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
증착시 도핑된 비정질 Si을 게이트로 갖는 MOS캐패시터와 트랜지스터의 전기적 특성 ( Electrical Characteristics of MOS Capacitors and Transistors with in-situ Doped Amorphous Si Gate Material )
대한전자공학회 학술대회
1993 .11
MOS 소자에서 Titanium 폴리사이드 게이트에 의한 산화막 열화 ( Thin Oxide Degradation by Titanium-Polycide Gate in MOS Device )
전자공학회논문지-A
1992 .12
고집적 메모리소자의 캐패시터 전극용 백금 박막의 건식 식각 기술
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
자기 정렬된 Mo2N/Mo 게이트 MOSFET의 제조 및 특성 ( Fabrication of Self-Aligned Mo2N/Mo-Gate MOSFET and Its Characteristics )
전자공학회지
1984 .11
자기 정렬된 Mo2N / Mo 게이트 MOSFET의 제조 및 특성 ( Fabrication of Self-Aligned Mo2N / Mo-Gate MOSFET and Its Characteristics )
대한전자공학회 학술대회
1984 .01
텅스텐 실리사이드를 차세대 게이트 전극으로 이용한 MOS 소자의 특성 분석 ( Characterisitics of Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Devices with Tungsten Silicide for Alternate Gate Metal )
전자공학회논문지-SD
2001 .07
증착시 도핑된 비정질 Si 게이트를 갖는 MOS 캐패시터와 트랜지스터의 전기적 특성 ( Electical Properties of MOS Capacitors and Transistors with in - situ doped Amorphous Si Gate )
전자공학회논문지-A
1994 .06
DC/AC 전력 변환기의 직류단 캐패시터 최소화에 대한 연구
전력전자학회 학술대회 논문집
2008 .06
MOS 게이트 검증을 위한 대수적 접근 방법 ( An algebraic approach for the evaluation of MOS gates )
전자공학회논문지-A
1993 .04
얇은 Si 산화막을 지닌 MOS 구조의 전기적 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1984 .07
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