S/H Life Time에 따른 WSix의 특성 변화에 관한 연구

정양희 ,  강성준

한국정보통신학회논문지

2002 .08

텅스텐 첨가에 따른 V_2-nW_nO₅ 박막의 구조적, 전기적 특성

남성필 ,  이성갑 ,  배선기 외 1명

대한전기학회 학술대회 논문집

2008 .10

SiH₂Cl₂-H₂-HCl 시스템에서의 실리콘 선택적 성장에 대한 표면 반응메커니즘 고찰

김봉수 ,  한승오 ,  박정호

대한전기학회 학술대회 논문집

1998 .07

SiH₄를 이용한 텅스텐의 화학증착시 압력증가가 증착에 미치는 영향

박재현 ,  이정중 ,  금동화

한국표면공학회지

1993 .02

텅스텐을 첨가한 V_2-xW_xO₅ 박막의 전기적 특성

남성필 ,  노현지 ,  이성갑 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

2009 .07

SiH₄ 가스의 에너지 분포함수 관한 연구

성낙진 ,  김상남

대한전기학회 학술대회 논문집

2000 .07

$SiH_4$ 첨가에 의한 저유전율 SiOF 박막의 유전 특성 안정화

변경문 ,  이원종

한국재료학회 학술발표대회

1998 .01

MDDR(Mobile Double Data Rate) DRAM의 WSix Peeling 불량 해결 연구

채한용 ,  이성영 ,  박태훈 외 4명

대한전자공학회 학술대회

2008 .06

박막 태양전지용 SiH₄ PECVD system의 수치 모델링

주정훈

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2010 .05

코발트/니켈 적층구조 박막으로부터 형성된 복합실리사이드

송오성 ,  정성희 ,  김득중 외 1명

한국재료학회지

2004 .01

Influence of WSix dual microstructure on the degradation of SiO2 gate dielectrics

Jae Eun Lim ,  Seok Kju Lee ,  Young Jin Pa 외 2명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1995 .01

니켈 코발트 합금조성에 따른 복합실리사이드의 물성 연구

김상엽 ,  송오성

한국재료학회지

2007 .01

SiH4/NH3/N2 및 SiH4/NH3/Ar 유량비율이 PECVD SiNx : H 박막의 특성에 미치는 영향 ( Effect of Flow Rate Ratios of SiH4/NH3/N2 and SiH4/NH3/Ar on the Properties of PECVD SiNx : H Films )

김용태 ,  김춘근 ,  민석기

전자공학회논문지

1988 .05

SiH₄ 플라즈마중의 전자수송특성 해석

이형윤 ,  하성철 ,  김대연

대한전기학회 학술대회 논문집

1998 .11

Ta-Silicides 형성에 관한 연구 ( 1 ) ( On the formation of Ta-Silicides - 1 - )

양희준 ,  최진석 ,  조현춘 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

On the formation of Ta-silicides -2-

Hee-Jun Yang ,  Dong-Won Kim ,  Jin-Seog Choi 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

Ta-Silicides 형성에 관한 연구 - 2 - ( On the Formation of Ta-Silicides - 2 - )

양희준 ,  김동원 ,  최진석 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

텅스텐 플러그 CVD 공정에서 SiH4 Soak의 영향

이우선 ,  서용진 ,  김상용 외 1명

전기전자재료학회논문지

2003 .01

DCS Post Flow 가 WSi_x 박막 특성에 미치는 영향

鄭陽喜 ,  姜聲俊 ,  姜喜淳

전기학회논문지 C

2003 .04

결정상에 대한 고용체가 Bi₂Sr₂Ca_n-1Cu_nO_x(n=0, 1, 2) 박막의 특성에 미치는 영향

양승호 ,  이호식 ,  박용필

한국정보통신학회논문지

2007 .06