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대한전자공학회 대한전자공학회 워크샵 대한전자공학회 워크샵(Scaled Device/Process and High Performance Circults International Workshop)
발행연도
1996.1
수록면
229 - 235 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

1996

In-Situ 코발트실리사이드 형성에 미치는 증착온도와 증착분위기의 영향 ( Effect of Deposition Temperature and Sputtering Ambient on the In-Situ Cobalt Silicide Formation )
변정수 ,  박지수 ,  박진원 외 1명 대한전자공학회 워크샵 1996.01 학술대회자료

1992

p+ / n 접합이 형성된 Si ( 100 ) 기판위에 코발트 / 탄탈륨 이중박막을 이용한 극히 얇은 코발트실리사이드 박막의 성장 ( The Formation of an Ultra-thin Cobalt Silicide ( CoSi2 ) Layer on the Pre-Existing P+ / n Junction Using Co / Ta Bilayer )
변정수 ,  김우식 ,  김형준 대한전자공학회 학술대회 1992.11 학술대회자료
(100)Si에서 Co/Ta bilayer metal을 이용한 $CoSi_2$ 에피층 성장에 관한 연구
변정수 ,  김형준 한국재료학회 학술발표대회 1992.01 학술대회자료
코발트 / 탄탈륨 이중금속박막-Si ( 001 ) 의 반응과 CoSi2 에피층의 성장 ( Reaction of Cobalt / Tantalum Bilayer Metal with Si ( 001 ) and Formation of epitaxial CoSi2 )
변정수 ,  강석봉 ,  김형준 대한전자공학회 학술대회 1992.01 학술대회자료

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