2차원 양자 역학적 해석에 의한 고속 통신용 AlxGal-xAs/GaxIn1-xAs/GaAs HEMT 소자의 전자 농도 및 전위분포 계산 ( Calculation of Electron concentration and Electrostatic potential profile for AlxGal-xAs/GaxIn1-xAs/GaAs HEMT device by 2-Dimensional Quantum Mechanical analysis )

송영진 ,  황호정

전자공학회논문지-A

1993 .03

0.35μm T-gate 전력용 Pseudomorphic HEMT 제작 연구 ( Fabrication and Characterization of 0.35μm T-shaped Power Pseudomorphic HEMTs )

정철환 ,  김성수 ,  이진구 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

0.25㎛ Gate Pseudomorphic HEMT 의 제작 및 특성 ( Fabrication and Characteristics of 0.25㎛ Gate Pseudomorphic HEMT )

김광석 ,  송용두 ,  강순종 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

Wide Head T-Gate를 갖는 InGaAs Pseudomorphic HEMT 소자의 초 저잡음 특성 ( Super Low Noise Characteristics of In GaAs Pseudomorphic HEMTs with Wide Head T-Gate )

윤형섭 ,  이진희 ,  최상수 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1995 .01

게이트 폭의 변화에 따른 P-HEMT의 특성연구 ( Characteristics of Pseudomorphic HEMTs with Various Gate Widths )

강순종 ,  이준서 ,  하정혁 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1993 .10

Fabrication of GaAs Pseudomorphic HEMTs with Extremely Low Noise Figure of 0.26 Db at 12 GHz

Jin Hee Lee ,  Hyung Sup Yoon ,  Sang Soo Choi 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

0.15um Gate Pseudomorphic HEMT의 제작 및 특성

김광석 ,  김상호 ,  윤정아 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

개선된 T - gate 기술로 제작한 초저잡음 AlGaAs / InGaAs / GaAs pseudomorphic HEMT 소자의 특성 ( A Super Low Noise Characteristics of AlGaAs / InGaAs / GaAs Pseudomorphic HEMTs Fabricated by the Improved T - Gate )

이진희 ,  윤형섭 ,  최상수 외 2명

전자공학회논문지-A

1995 .03

15GHz Dielectric Resonator Oscillator using 0.13um T-Gate GaAs Pseudomorphic HEMT

Chung Soo Han ,  Keun Kwan Ryu ,  Chan Joo Lee 외 7명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

차단 주파수가 138㎓인 0.35㎛ InP Pseudomorphic HEMT 소자의 제작 및 특성

이진희 ,  윤형섭 ,  박병선 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

0.35㎛ T-gate 전력용 Pseudomorphic HEMT 제작 연구

정철환 ,  김성수 ,  이진구 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

차단 주파수가 138GHz인 0.35μm InP Pseudomorphic HEMT 소자의 제작 및 특성 ( 0.35μm Gate InP Pseudomorphic HEMT with Cutoff Frequency of 138 GHz )

이진희 ,  윤형섭 ,  박병선 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .11

mm파 AlGaAs/InGaAs/GaAs Power PM-HEMT 제작 연구

이성대 ,  허종곤 ,  이일형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

mm파 AlGaAs / InGaAs / GaAs Power PM-HEMT 제작 연구 ( Fabrication of AlGaAs / InGaAs / GaAs Pseudomorphic HEMT's for mm waves )

이성대 ,  허종곤 ,  이일형 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .11

통신용 초고속 반도체소자 - Digital GaAs 집적회로와 HEMT'S를 중심으로 - ( Ultra-High-Speed Semiconductor Devices for Data Communication Applications - Digital GaAs IC'S and HEMT｀S - )

이진구

한국통신학회논문지

1986 .06

Capacitance-Voltage Analysis of Quantum well Structures and partially Relaxed InxGa1-xAs / GaAs Multiple Quantum Well Structures

C. R. Moon ,  Byung Doo Choe ,  S. D. Kwon 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

0.4㎛ 게이트 길이의 AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT 제작 ( Fabrication of 0.4㎛ Gate Length AlGaAs / InGaAs Pseudomorphic HEMT's )

백승원 ,  김병성 ,  서광석

대한전자공학회 학술대회

1993 .01

절연 게이트 역 이중 채널 전력용 Pseudomorphic HEMT의 제작 및 특성 연구

배병숙 ,  서영석 ,  전영진 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

Deembedding Effect on fo Extraction for AlGaAs / InGaAs / GaAs Pseudomorphic HEMTs

윤경식 ,  이진희 ,  윤형섭 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

이종 표면 p-AlxGa1-xAs / p-GaAs / n-GaAs / n+ -GaAs 태양전지 ( Heteroface p-AlxGa1-xAs / p-GaAs / n-GaAs / n+ -GaAs Solar Cell )

윤권중 ,  엄우용 ,  임성규 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1990 .07