GaAs / AlxGal-xAs 양자우물 광변조기를 위한 최적의 Al 몰비율에 관한 이론적 연구

임규남 ,  홍성철 ,  권영세

한국통신학회 광전자공학 학술회의

1994 .01

Spontaneously Formed Multi-layered Structure of AlxGal-xAs Grown on ( 100 ) GaAs Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition

S. S. Cha ,  Y. K. Shin ,  H. J. Jeon 외 5명

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

이종 표면 p-AlxGa1-xAs / p-GaAs / n-GaAs / n+ -GaAs 태양전지 ( Heteroface p-AlxGa1-xAs / p-GaAs / n-GaAs / n+ -GaAs Solar Cell )

윤권중 ,  엄우용 ,  임성규 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1990 .07

HEMT 소자의 2차원적 전자 농도 및 전위분포 계산 ( Calculation of Two-Dimensional Electron Concentration and Potential for HEMT Device )

도태영 ,  송영진 ,  황호정

대한전자공학회 학술대회

1992 .11

GaAs / AlxGa1-xAs 양자우물 광변조기를 위한 최적의 Al 몰비율에 관한 이론적 연구

임규남 ,  홍성철 ,  권영세

대한전자공학회 학술대회

1994 .01

Capacitance-Voltage Analysis of Quantum well Structures and partially Relaxed InxGa1-xAs / GaAs Multiple Quantum Well Structures

C. R. Moon ,  Byung Doo Choe ,  S. D. Kwon 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1997 .01

Dynamical Simulation of Optical Phonon Transfer in the GaAs / AlxGa1-xAs / GaAs Single Barrier Structure

Seung Hoon Jhi ,  Ji Soon Ihm

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

An Analysisof the Characteristics of Pseudomorphic AlxGay-xAs / GayInI-yAs / GaAs HEMT Devices Based on Quantum Mechanical Calculation of Electron Concentration and Particle Simulation

Young Jin Song ,  Ho Jung Hwang

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1993 .01

MOCVD를 이용한 Heteroface p-AlxGa1-xAs/p-GaAs/n-GaAs/n+-GaAs 태양전지의 개발 ( Heteroface p-AlxGa1-xAs/p-GaAs/n-GaAs/n+-GaAs Solar Cell Grown by MOCVD )

장지근 ,  임성규

전자공학회논문지-A

1991 .01

Triclinic Lattice Deformation of InxGa1-xAs / GaAs Heterostructures Grown on ( 001 ) GaAs

이동건 ,  염효영 ,  임재영 외 4명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

AlxGa-xAs : Sn의 DX Center

최병두

대한전자공학회 단기강좌

1986 .01

MODFET의 AlxGa1-xAs Layer내의 특성 모델 ( A Model for Characteristics in the AlxGa1-xAs Layer of MODFET's )

박광민 ,  오윤경 ,  김홍배 외 1명

전자공학회논문지

1987 .05

InAlAs/InGaAs/GaAs MHEMT 소자의 항복 특성에 관한 연구

손명식

전자공학회논문지-SD

2011 .11

A General Current-Voltage Model of the Shockley-Read-Hall Generation-Recombination for AlxGa1-xAs/GaAs N-p Heterojunction Diode

Jae Hong Choi

KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING

1995 .01

AlGaAs / GaAs HEMT 소자의 제작 및 특성 ( Fabrication and Characterization of GaAs / AlGaAs HEMT Device )

이진희 ,  윤형섭 ,  강석봉 외 7명

전자공학회논문지-A

1994 .09

Improved Breakdown Voltage Characteristics of In_0.5Ga_0.5P/In_0.22Ga_0.78As/GaAs p-HEMT with an Oxidized GaAs Gate

I-H. Kang ,  J-W. Lee ,  S-J. Kang 외 5명

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE

2003 .06

HEMT 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process )

이종람 ,  이재진 ,  맹성재 외 5명

특정연구 결과 발표회 논문집

1989 .01

Hemt 소자 공정 연구 ( A Study on HEMT Device Process )

이종람 ,  이재진 ,  맹성재 외 5명

한국통신학회 학술대회논문집

1989 .01

통신용 초고속 반도체소자 - Digital GaAs 집적회로와 HEMT'S를 중심으로 - ( Ultra-High-Speed Semiconductor Devices for Data Communication Applications - Digital GaAs IC'S and HEMT｀S - )

이진구

한국통신학회논문지

1986 .06