AlGaAs/GaAs Quantum-well Delta-doped Channel FET’s Grown by LP-MOCVD

KYEONG-SIK JANG ,  DONG-HO JEONG ,  JEONG-SU LEE 외 1명

ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications

1991 .08

AlGaAs/GaAs Quantum-well Delta-doped Channel FET`s Grown by LP-MOCVD

Kyeong Sik Jang ,  Dong Ho Jeong ,  Jeong Su Lee 외 1명

International Conference on Electronics, Informations and Communications

1991 .01

GaAs / AIGaAs HEMT's with Delta-Doped Quantum-Wells Grown by LP-MOCVD

Dong Ho Jeong ,  Kyeong Sik Jang ,  Yoon Ha Jeong

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01

Mocvd 에 의한 신기능소자 제조기술개발 ( Development of New Functional Device by MOCVD )

김무성 ,  김현수 ,  김은규 외 5명

한국통신학회 학술대회논문집

1989 .01

MOCVD에 의한 신기능소자 , 제조기술개발 ( Development of New Functional Device by MOCVD )

김무성 ,  김현수 ,  김은규 외 5명

특정연구 결과 발표회 논문집

1989 .01

Delta-Doping 을 이용한 비정질 규소 n+ -P -P+ 태양전지의 제작 ( Fabrication of a-Si : H n+ -p -p+ Solar Cells Using Delta-Doping )

황정태 ,  정관수 ,  장진

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

Luminescence Study of Carbon Doped GaAs Grown on GaAs ( 311 ) a Substrate by MOCVD

S. Cho ,  D. Lee ,  C. S. Son 외 4명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1997 .01

한국과학기술원의 GaAs FET제작 연구 ( GaAs FET Researches at KAIST )

권영세

대한전자공학회 학술대회

1992 .05

Effect of Al-Rich Surface on Se-Doped GaAs Grown by LP-MOCVD

Jong Hee Kim ,  Dae Ho Lim ,  Gye Mo Yang 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

비선형 회로 시뮬레이션을 위한 개선된 GaAs FET 모델 ( An Improved GaAs FET Model for Nonlinear Simulation )

조영송 ,  김민택 ,  이해영 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1993 .10

FET 형 요소 감지 소자 ( FET Type Urea Sensor )

문병준 ,  이종현 ,  손병기

대한전자공학회 학술대회

1987 .07

FET형 요소 감지 소자

문병준 ,  이종헌 ,  손병기

대한전기학회 학술대회 논문집

1987 .07

이중이종접합을 이용한 채널도핑된 GaAs계 전력FET의 선형성 증가

김우석 ,  김상섭 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

2000 .06

MOCVD를 이용한 Si(001) 기판 위에 GaAs 박막 성장 및 분석

한원석 ,  고영호 ,  김갑중 외 6명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2018 .11

GaAs FET의 비선형 채널전류 모형에 관한 연구 ( A Microwave Model for the Nonlinear Channel Current of GaAs FET )

노태문 ,  서영석 ,  임준열 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1994 .10

GaAs FET의 비선형 채널전류 모형에 관한 연구 ( A microwave model for the nonlinear channel current of GaAs FET )

노태문 ,  서영석 ,  임준열 외 2명

한국통신학회 학술대회논문집

1994 .01

MOCVD법을 이용한 SnO₂(:F) 박막의 제조

이상운 ,  배정운 ,  송국현 외 3명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

1998 .05

MOCVD Growth of Low Doped p-type AlGaAs Buffer Layers by Intrinsic Carbon Doping Method

최승준 ,  서진호 ,  이재학 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1998 .01

GaAs FET를 이용한 초고주파용 증폭기 설계에 관한 연구 ( A Study on the Design of Amplifier for Microwave using GaAs FET )

김용기 ,  이승무 ,  홍의석

전자공학회논문지-A

1992 .02

Carbon Doping Characteristics of GaAs Epilayers Grown by MOCVD on GaAs - substrates with various crystal orientations -

Byung Don Min ,  Mann Jang Pa ,  k

대한전자공학회 학술대회

1996 .01