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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
황태종 (영남대학교) 김동호 (영남대학교)
저널정보
한국물리학회 새물리 새물리 제69권 제4호
발행연도
2019.4
수록면
355 - 360 (6page)

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자속 고정중심으로 반도체 InAs 나노막대 (nanorod) 를 사용한 Nb 박막의 자속 고정에 대하여 연구하였다. InAs 나노막대는 유기금속 화학기상 방법으로 실리콘 (111) 기판에 수직배향으로 성장하였고, Nb 박막은 스퍼터링 방법으로 증착하였다. 시편은 나노막대가 없는 기준 Nb 박막과 나노막대를 먼저 성장시키고 Nb 박막의 두께를 달리한 Nb-InAs 박막으로 준비하였다. 나노막대의 자속 고정 효과는 나노막대 길이 방향으로 자기장을 인가하였을 때 기준 Nb 박막보다 Nb-InAs 박막의 상부임계자기장과 임계전류밀도의 증가로 나타났다. 두 Nb-InAs 시편의 유효 자속 고정에너지의 자기장 의존성은 동일한 양상을 보였고, Nb 기준 박막과는 차이를 나타냈다. 두 Nb-InAs 시편의 임계전류밀도의 각도 의존성은 기판에 수직 자기장 방향의 부근에서 봉우리 형태의 경향성을 보였으나, 봉우리의 폭과 세부 형태에서 차이를 나타내었다. 나노막대 내부에 고정된 자속선의 유효길이의 변화로 수직 자기장 부근에서 나타나는 임계전류밀도의 각도 의존성을 설명하였다.
#Flux pinning #InAs nanorods #Critical current density #자속고정 #InAs 나노막대 #임계전류밀도

목차

I. 서론
II. 실험
III. 결과 및 논의
IV. 결론
REFERENCES

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