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이 연구에서는 TiO₂에 Nb이 각각 0%, 3%, 6%의 도핑율로 도핑된 박막을 펄스 레이저 증착(Pulsed Laser Deposition, PLD) 방법으로 p-Si (100) 기판 위에 증착하여 p-1 접합 소자를 제작하였으며 이들 소자에 대하여 전류-전압(I-V) 특성 분석을 수행하였다. I-V 곡선에 열전자 방출(Thermionic emission) 이론을 적용하여 추출한 이상 계수(Ideality factor)와 제로 바이어스 장벽 높이(Zero bias barrier height), 그리고 T₀ 변칙과 이상 계수 대비 제로 바이어스 장벽 높이의 분포 분석에 따르면 도핑과정을 거치지 않은 TiO₂/p-Si 소자가 이상적인 다이오드 특성과 가장 가까운 것으로 나타났다. Nb도핑과정이 이루어지지 않은 소자의 경우에서도 정류특성이 관측되는 것은 산소 결핍에 의한 TiO₂ 박막내에서의 n-형 도핑 효과로 해석된다. Nb 도핑을 한 NbTiO₂/p-Si 소자의 경우 도핑과정을 거치지 않은 산소 결핍 도핑 소자보다 장벽높이의 불균질성이 증가하여 오히려 다이오드 소자 특성이 우수하지 않은 것으로 나타났다. 이와 같은 결과는 TiO₂의 소자 응용측면에서 최적의 도핑조건에 대한 실마리를 제공한다고 할 수 있다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과
Ⅳ. 결론
REFERENCES
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