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저자정보
김건 (중앙대학교) 김명호 (포항공과대학교) 신세운 (포항공과대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2024년도 대한전자공학회 추계학술대회 논문집
발행연도
2024.11
수록면
214 - 218 (5page)

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높은 정확도의 밴드갭 기준 전압 회로는 전력 관리 IC, 데이터 변환기 등의 다양한 회로들에 필수적이다. 높은 정확도를 달성하기 위해, 밴드갭 기준 회로에는 고차 곡률 보상 기법과 오프셋 상쇄 기법이 필수적으로 적용된다. 제안된 회로는 전류 거울 기반의 곡률 보상 기법을 통해 소수의 트랜지스터로 곡률 보상 기법을 구현했고, 밴드갭 코어에 스위치와 커패시터를 추가하여 별도의 추가적인 회로 없이 오프셋 상쇄 기법을 구현했다. 제안된 회로는 180nm 공정을 통해 설계하였으며, 본 논문에서 언급된 성능은 포스트-레이아웃(Post-Layout) 시뮬레이션 결과를 기반으로 작성되었다. 제안된 회로는 1.2V의 낮은 공급 전압에서 동작하며, -40℃에서 140℃까지의 넓은 온도 범위에서 약 5.81ppm/℃의 높은 정확도를 보인다. 제안된 회로는 기존에 발표된 정확한 밴드갭 기준 회로에 비해 작은 0.019𝒎𝒎𝟐의 레이아웃 면적을 차지하고, 57μW의 적은 전력을 소비한다.

목차

Abstract
I. 서론
II. 제안된 밴드갭 전압 기준 회로
III. 회로 구현
IV. 측정
V. 결론
참고문헌

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