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논문 기본 정보

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저자정보
Donghoon Han (Seoul National University) Suhwan Kim (Seoul National University)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2024년도 대한전자공학회 하계학술대회 논문집
발행연도
2024.6
수록면
510 - 513 (4page)

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The following paper reviews the principles of a beta-multiplier reference (BMR)- based voltage reference generator presented in [1]. Its use of subthreshold region transistors and PTAT voltage-generating cells allows the creation of a reference voltage at the cost of minimal power dissipation. Simulations of the circuit show that the BMR-based voltage reference circuit is capable of producing a 1.23V reference with a 3𝜎 variation of 40.173 mV and typical temperature coefficient of 24.090 ppm/°C, all at the cost of 319.8 nW of power dissipation from a 3.3V power supply.

목차

Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Operation Principle
Ⅲ. Circuit Implementation
Ⅳ. Simulation Results
Ⅴ. Simulation Results
References

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