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저자정보
김하영 (한밭대학교 화학생명공학과) 추연룡 (한밭대학교 화학생명공학과) 임지수 (한밭대학교 지능형나노반도체학과) 박규식 (한밭대학교 지능형나노반도체학과) 김지원 (한밭대학교 화학생명공학과) 강다희 (한밭대학교 화학생명공학과) 라윤호 (한밭대학교 화학생명공학과) 제갈석 (한밭대학교 화학생명공학과) 윤창민 (한밭대학교 화학생명공학과)
저널정보
한국접착및계면학회 접착 및 계면 접착 및 계면 제25권 제2호
발행연도
2024.6
수록면
63 - 68 (6page)

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본 연구에서는 반도체 패키지용 와이어 본딩 공정에서 금(Au) wire의 표면처리에 적용되는 린스의종류에 따른 Au wire의 오염 현상을 확인하고자 하였다. Au wire의 표면처리를 위해 실리콘(Si) 성분이 함유된린스와 유기 계통으로만 이루어진 린스를 주로 사용하고 있으며, 실제 영향성을 확인하기 위해 두 종류의 1.0 wt% 린스 용액으로 Au wire에 표면처리를 진행하였다. 이후, 반도체 공정에서 발생할 수 있는 Si 성분이 포함된분진과의 반응성을 확인하기 위한 모사 실험을 진행하였다. 그 결과, optical microscopy(OM) 및 scanning electron microscopy(SEM) 분석을 통해 Si 성분이 함유된 린스로 표면처리한 Au wire의 경우 분진이 다량흡착되었으며, 유기 계통으로만 이루어진 린스로 표면처리한 Au wire에는 소량의 분진이 흡착된 것을 확인하였다. 이는 Si 성분이 함유된 린스의 경우 상대적으로 극성을 띠기에, 주성분이 극성인 분진과 극성 상호작용을일으키기 때문이다. 따라서 Si 성분이 존재하지 않는 린스를 사용하여 Au wire를 표면처리할 경우 분진에 의한오염 현상이 감소하여 실제 와이어 본딩 공정에서 불량률을 낮추는 효과를 볼 수 있을 것으로 기대한다.

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