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본 논문에서는 U-MOSFET 내부의 기생 body 다이오드(PN diode)를 쇼트키 body 다이오드(Schottky body diode)로 대체한 50V급 전력 U-MOSFET을 제안하였다. 쇼트키 다이오드는 PN 다이오드와 비교 시, 역 회복 손실(reverse recovery loss)을 감소시킬 수 있는 장점을 가지고 있다. 따라서 전력 MOSFET의 기생 body 다이오드를 쇼트키 body 다이오드를 대신함으로써 역 회복 손실을 최소화 할 수 있다. 제안된 쇼트키 body 다이오드(Schottky body diode) U-MOSFET(SU-MOS)를 conventional U-MOSFET(CU-MOS)와 전기적 특성을 비교한 결과, 전달(transfer) 및 출력(output)특성, 항복(breakdown)전압 등 정적(static) 특성의 변화 없이 감소된 역 회복 손실을 얻을 수 있었다. 즉, 쇼트키 다이오드의 폭(width)이 0.2㎛, 쇼트키 장벽 높이(Schottky barrier height)가 0.8eV일 때 첨두 역전류(peak reverse current)는 21.09%, 역 회복 시간(reverse recovery time)은 7.68% 감소하였고, 성능지수(figure of merit(FOM))는 35% 향상되었다. 제안된 소자의 특성은 Synopsys사의 Sentaurus TCAD를 사용하여 분석되었다.
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1. [학술지(정기간행물)] - Catania, M.F / 1992 / Optimization of the tradeoff between switching speed of the internal diode and on-resistance in gold-and platinumimplanted power metal-oxide-semiconductor devices / IEEE Transactions on Electron Devices 39 (12) : 2745 ~ 2749
2. [학술지(정기간행물)] - B. Jayant Baliga / 1977 / Comparison of Gold, Olatinum, and Electron Irradiation for Controlling Lifetime in Power Rectifiers / IEEE Transactions on Electron Devices 24 (6) : 685 ~ 688
3. [학술지(정기간행물)] - Matthew D. Miller / 2005 / Differences Between Platinum-and Gold-Doped Silicon Power Devices / IEEE Trans. Electron Devices 23 (12) : 1279 ~ 1283
4. [학술지(정기간행물)] - Xu Cheng / 2003 / Fast reverse recovery body diode in high-voltage VDMOSFET using cell-distributed Schottky contacts / IEEE Trans. Electron Devices 50 (5) : 1422 ~ 1425
5. [학술대회논문] - Calafut D. / 2004 / Trench power MOSFET lowside switch with optimized integrated Schottky diode / Power Semiconductor Devices and ICs, 2004. : 397 ~ 400
2. [학술지(정기간행물)] - B. Jayant Baliga / 1977 / Comparison of Gold, Olatinum, and Electron Irradiation for Controlling Lifetime in Power Rectifiers / IEEE Transactions on Electron Devices 24 (6) : 685 ~ 688
3. [학술지(정기간행물)] - Matthew D. Miller / 2005 / Differences Between Platinum-and Gold-Doped Silicon Power Devices / IEEE Trans. Electron Devices 23 (12) : 1279 ~ 1283
4. [학술지(정기간행물)] - Xu Cheng / 2003 / Fast reverse recovery body diode in high-voltage VDMOSFET using cell-distributed Schottky contacts / IEEE Trans. Electron Devices 50 (5) : 1422 ~ 1425
5. [학술대회논문] - Calafut D. / 2004 / Trench power MOSFET lowside switch with optimized integrated Schottky diode / Power Semiconductor Devices and ICs, 2004. : 397 ~ 400
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