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저자정보
Fatemeh Abbassi (Sungkyunkwan Univ.) SungJin Kim (Sungkyunkwan Univ.) Abdolhamid Noori (Sungkyunkwan Univ.) Ji-Hyeon Cheon (Sungkyunkwan Univ.) Truong Van Cong Thuong (Sungkyunkwan Univ.) Truong Thi Kim Nga (Sungkyunkwan Univ.) Kang-Yoon Lee (Sungkyunkwan Univ.)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.19 No.3
발행연도
2019.6
수록면
239 - 245 (7page)
DOI
10.5573/JSTS.2019.19.3.239

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This paper presents a curvaturecompensated Band-Gap reference used as a reference voltage for a Low-Dropout Regulator. The circuit is totally implemented with only MOS transistors functional from 1.8 V to 3.6 V for Internet of Things(IoT) applications. In designed Ultra-Low Power (ULP) BGR, only one stage high slope proportionalto-absolute temperature (PTAT) voltage generator is employed to compensate complementary-to-absolute temperature (CTAT) voltage generated in the current reference. In addition, cascode tail current is utilized to improve Power Supply Rejection Ratio (PSRR). The proposed BGR-LDO uses only the MOSFETs in the subthreshold region to greatly reduce power consumption, in the other words, BJTs and resistors are removed. Therefore, not only consumed power decreases significantly, but also occupied chip area declines. The proposed BGR-LDO circuit fabricated in a 55 nm CMOS process. It consumes 747 nW power for input voltage of 3.3 V. The measurement results illustrate -55 dB power supply rejection ratio, a TC of 16 ppm/°C within a range of the -40°C to 80°C and line regulation of 4.4 mV/V for supply voltage variation from 1.8 V to 3.6 V. Load regulation is 0.8 mV/mA for load current variation form 0 A to 10 mA. The active area is 190 μm × 390 μm.
#Subthreshold region #low power #band gap reference circuit #low-dropout regulator #resistor-less

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. ULTRA-LOW POWER LOW-DROPOUT REGULATOR
III. MEASUREMENT RESULTS
IV. CONCLUSION
REFERENCES

참고문헌 (9)

참고문헌 신청
K. K. Lee, T. S. Lande and P. D. Hafliger, A SubuW Bandgap Reference Circuit With an Inherent Curvature-Compensation Property, in IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, vol. 62, no. 1, pp. 1-9, Jan. 2015. google schola Y. Osaki, et al, 1.2-V Supply, 100-nW, 1.09-V Bandgap and 0.7-V Supply, 52.5-nW, 0.55-V Sub bandgap Reference Circuits for Nano watt CMOS LSIs, in IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 48, no. 6, pp. 1530-1538, June 2013. google schola H. Zhang et al., A Nano-Watt MOS-Only Voltage Reference With High-Slope PTAT Voltage Generators, in IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, vol. 65, no. 1, pp. 1-5, Jan. 2018. google schola Truong Van Cong Thuong, et al, A Sub-threshold Ultra-Low Power Consumption Low-Dropout Regulator, ISOCC 2017, Nov. 2017. google schola Behzad Razavi, “Design of Analog CMOS Integrated Circuits, Second Edition”, Mc Graw Hill Education, 2015. google schola

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