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저자정보
홍지운 (충북대학교) 최성열 (충북대학교) 김영석 (충북대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2018년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2018.6
수록면
229 - 232 (4page)

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This paper proposes a beta multiplier with a self-cascode structure. The output resistance of the self-cascode MOSFET is approximately six times greater from that of a single MOSFET. A beta multiplier with the self-cascode structure using the Magnachip 0.18 um CMOS process is simulated and verified using Cadence"s Virtuoso and Spectre. When the supply voltage varies from 0 V to 1.8 V, the reference voltage is approximately 567 mV and the reference voltage change rate is 838ppm/℃ with temperature from – 25 ℃ to 125 ℃. The reference voltage sensitivity of the proposed beta multiplier is much lower than that of the conventional beta multiplier.

목차

Abstract
I. 서론
II. 본론
III. 실험
IV. 결론
참고문헌

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