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저자정보
Taegi Kim (Sejong University) Hee-Dong Kim (Sejong University)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2024년도 대한전자공학회 하계학술대회 논문집
발행연도
2024.6
수록면
393 - 396 (4page)

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Here, we present a method to enhance the performance and reliability of transparent memristor devices by optimizing the roughness of the indium tin oxide (ITO) bottom electrode (BE) without extra process. By adjusting the sub-heater temperature during ITO deposition, we achieve a rough surface BE, leading to improved resistive switching (RS) characteristics compared to flat surface BE The devices with rough surface BE exhibited lower forming voltages and stable RS behavior with high endurance and on/off ratios. This enhancement is attributed to better regulation of electric field distribution and concentration of oxygen vacancies, making rough surface devices promising for low-power and reliable transparent memristor.

목차

Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Materials and methods
Ⅲ. Result and discussions
Ⅳ. Conclusion
Reference

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