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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2024.6
- 수록면
- 435 - 438 (4page)
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To address the low on/off ratio and stability concerns of ZnO based RRAM, We proposed a ZnO/HfO₂ bilayer to investigate the effects of the thickness on RRAM. Due to the change in the thickness of ZnO/HfO₂ bilayer, the length of Conduction filament varies that leads to improve on/off ratio of the devices and its stable endurance and retention without any degradation.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Materials and Methods
Ⅲ. Results and Discussions
Ⅳ. Conclusion
References
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