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학술저널
저자정보
Ziyang Cui (성균관대학교) Dongxu Xin (성균관대학교 전자전기공학부) 박진수 (성균관대학교) 김재민 (성균관대학교 전자전기컴퓨터공학과) Khushabu Agrawal (성균관대학교) 조은철 (성균관대학교) 이준신 (성균관대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제33권 제6호
발행연도
2020.1
수록면
445 - 449 (5page)

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Non-volatile memory is approaching its fundamental limits with the Si3N4 storage layer, necessitating the use of alternative materials to achieve a higher programming/erasing speed, larger storage window, and better data retention at lower operating voltage. This limitation has restricted the development of the charge-trap memory, but can be addressed by using high-k dielectrics. The paper reviews the doping of nitrogen, titanium, and yttrium on high-k dielectrics as a storage layer by comparing MONOS devices with different storage layers. The results show that nitrogen doping increases the storage window of the Gd2O3 storage layer and improves its charge retention. Titanium doping can increase the charge capture rate of HfO2 storage layer. Yttrium doping increases the storage window of the BaTiO3 storage layer and improves its fatigue characteristics. Parameters such as the dielectric constant, leakage current, and speed of the memory device can be controlled by maintaining a suitable amount of external impurities in the device.
#Charge storage layer #Doping on high-k materials #Metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor

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J. Robertson / 2004 / Eur. Phys. J. Appl. Phys 28:265 Crossref C. Zhao / 2014 / Materials 7:5117 Crossref R. P. Shi / 2016 / Microelectron. Reliab 65:64 Crossref L. N. Liu / 2019 / Coatings 9:217 Crossref M. Kadoshima / 2019 / Jpn. J. Appl. Phys. 58:SBBA10 Crossref

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