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학술저널
저자정보
유지호 (한국기술교육대학교) 김종찬 (한국과학기술정보연구원)
저널정보
한국전산유체공학회 한국전산유체공학회지 한국전산유체공학회지 제28권 제3호
발행연도
2023.9
수록면
35 - 41 (7page)
DOI
10.6112/kscfe.2023.28.3.035

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In the present study, flow simulations were performed to study the effect of carrier gases in a batch ALD reactor. Several cases varying the flow ratio between the carrier N2 and Side N2, which are injected into a main nozzle and side ones, respectively, were compared. The explanations about the wafer-to-wafer and within-wafer uniformity regarding film deposition were provided in terms of the flow analysis. The results showed that the flow rates injected from each nozzle hole are different from one another, leading to the non-uniformity inside the batch. The increase in Side N₂ can improve the uniformity at the single wafer. Even though the amount of Side N₂ also significantly influences the uniformity inside the whole batch reactor, its improvement is only achieved when the amount of Carrier N₂ is comparable to the Side N₂.
#전산유체역학(CFD) #ALD 공정(ALD Process) #배치 ALD 반응기(Batch ALD Reactor) #WtW 산포(WtW Uniformity) #WiW 산포(WiW Uniformity) #운반기체(Carrier Gas)

목차

1. 서론
2. 시뮬레이션 설정
3. 해석 결과
4. 결론
References

참고문헌 (11)

참고문헌 신청
2014, Hwang, C.S., "Atomic Layer Deposition for Semiconductors," Springer. google schola 2022, Kunene, T.J., Tartibu, L.K., Ukoba, K. and Jen, T.C., "Review of atomic layer deposition process, application and modeling tools," Materials Today: Proceedings, 62, pp.S95-S109. google schola 2019, Chen, Z., Zhu, Z., Härkönen, K. and Salmi, E., "Batch processing of aluminum nitride by atomic layer deposition from AlCl3 and NH3," Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, 37(2), p.020925. google schola 2023, Starowicz, Z., Zięba, A., Ostapko, J., Wlazło, M., Kołodziej, G., Szczerba, M.J., Putynkowski, G. and Socha, R.P., "Synthesis and characterization of Al-doped ZnO and Al/F co-doped ZnO thin films prepared by atomic layer deposition," Materials Scien google schola 2019, Zhang, Y., Ding, Y. and Christofides, P.D., "Integrating feedback control and run-to-run control in multi-wafer thermal atomic layer deposition of thin films," Processes, 8(1), p.18. google schola

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