Implementation of power regulation unit for biomedical implantable devices

Sadeque Reza Khan; 최광석

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자료유형: 학술저널

저자정보: Sadeque Reza Khan (조선대학교) 최광석 (조선대학교)

저널정보: 한국과학기술원 정보전자연구소 IDEC Journal of Integrated Circuits and Systems IDEC Journal of Integrated Circuits and Systems Vol.4 No.1

발행연도: 2018.1

수록면: 8 - 13 (6page)

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Power supply of the biomedical devices such as pacemakers, arti?cial hearts, function electrical stimulators, monitoring devices, and retinal stimulator for long term operation is a challenging task. A major issue involved in the wireless power supply is the power ?ow regulation with proper ef?ciency. Therefore, a stable power regulating unit is required including band-gap reference (BGR) circuit and regulator to power up the implant with a stable dc voltage. In this paper, a temperature compensated BGR is proposed along with a stable capacitor-less low dropout (LDO) regulator. The proposed analog domain-based circuits are manufactured in SK Hynix 0.18um CMOS technology. The circuits presented in this paper have been implemented and the results have shown that the first bandgap reference (BGR) circuit has achieved power supply rejection ratio of 66 dB at room temperature. The gain of the proposed LDO regulator is 60dB. Furthermore, the drop out voltages of the LDO regulator is less than 200 mV. The stability of the regulator is measured with different capacitive load and currents and the gains in accordance with frequency response.

#Power flow regulation in biomedical implantable devices #Stable capacitor-less low dropout (LDO) regulator #Temperature compensated bandgap reference BGR

참고문헌 (16)

참고문헌 신청

M. Mohammed / 2016 / Design methodology for MOSFET-based voltage reference circuits implemented in 28 nm CMOS technology / Int. J. Electron. Commun. Int. J. Electron. Commun. 70(5):568~577

Y. P. Tsividis / 1980 / Accurate analysis of temperature effects in I/SUB c/V/SUB BE/ characteristics with application to bandgap reference sources / IEEE J. Solid-State Circuits 15(6):1076~1084

H. Banba / 1999 / A CMOS bandgap reference circuit with sub-1-V operation / IEEE J. Solid-State Circuits 34(5):670~674

G. De Vita / 2007 / A Sub-1-V, 10 ppm/°C, Nanopower Voltage Reference Generator / IEEE J. Solid-State Circuits 42(7):1536~1542

L. Magnelli / 2011 / A 2. 6 nW, 0. 45 v temperature-compensated subthreshold CMOS voltage reference / IEEE J. Solid-State Circuits 46(2):465~474

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이 논문의 저자 정보

Sadeque Reza Khan

소속기관 조선대학교

주요연구분야 공학 > 전기전자공학 > 정보통신공학 공학 > 전기전자공학 > 전자공학

논문수 3 이용수 17

최광석

소속기관 한국전자기술연구원

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