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김진수 (청주대학교) 사의환 (청주대학교) 이원호 (청주대학교) 조민형 (청주대학교) 차형우 (청주대학교) 김희석 (청주대학교)
저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2015년도 대한전자공학회 하계종합학술대회
발행연도
2015.6
수록면
890 - 894 (5page)

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A new temperature compensation LDO (low drop out) regulator configured CMOS transistors was designed. The proposed regulator circuit is consist of temperature compensation band gap reference and LDO. The simulation results that the proposed regulator has output voltage of 1.5V from 2.1V to 5.5V of supply voltage and temperature coefficient of 250ppm/℃ form ~ 20℃ to 140℃. The designed regulator for circuit simulation was used as the Magna/Hynix 0.35㎛ process and supply voltage was 5V.

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 실험결과
Ⅳ. 결론 및 향후 연구방향
참고문헌

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