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학술저널
저자정보
천지현 (성균관대학교) 김성진 (성균관대학교) 이동수 (성균관대학교) 이강윤 (성균관대학교)
저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지 전자공학회논문지 제54권 제11호 (통권 제480호)
발행연도
2017.11
수록면
93 - 99 (7page)
DOI
10.5573/ieie.2017.54.11.93

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본 논문에서는 저 전압에서 300mA까지의 로드 전류 구동 범위를 갖고, Low-Dropout regulator (LDO) 동작 초기에 발생하는 2.5 V의 첨두치 출력전압을 1.2V 로 안정화 시킨 Bandgap reference (BGR)와 LDO의 회로에 대해서 기술한다. 일반적인 BGR 회로에서 출력 단에 Soft-start 회로를 추가함으로써 BGR와 LDO의 출력전압의 상승 시간을 지연 시켜 첨두치 전압값을 감소시켰다. 제안하는 회로는 1P6M 0.13 μm CMOS 공정을 사용하였으며 면적은 400 um x 240 um 이다. 1.9 V부터 3.6 V의 공급전원에서 동작하며, BGR과 LDO의 출력 전압은 각각 0.46 V, 1.2 V 이다. 3.3 V 전원 입력일 때, 대기소모전류는 60 μA 이다. 공급전압이 3.3 V 일 때 부하 레귤레이션은 0.65 mV/mA 이고, 부하 전류가 100 mA 일 때 라인 레귤레이션은 4.4 mV/V 이다. 최대 출력 전류 용량은 300 mA 이다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅰ. 서론
Ⅲ. 실험
Ⅳ. 결론
REFERENCES

참고문헌 (5)

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