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자료유형
학술저널
저자정보
최병수 (부산대학교) K. W. Kim (University of Florida) B. P Gila (University of Florida) D. P. NORTON (University of Florida) S. J. PEARTON (University of Florida) 조현 (부산대학교)
저널정보
한양대학교 세라믹공정연구센터 Journal of Ceramic Processing Research Journal of Ceramic Processing Research 제18권 제9호
발행연도
2017.9
수록면
687 - 690 (4page)
DOI
http://dx.doi.org/

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Amorphous InGaZnO4 (α-IGZO) thin film transistors (TFTs) are one of the most promising candidates for switches in theactive-matrix and driver-integrated circuits of transparent liquid crystal displays and flexible displays. The stability andoverall performance of amorphous IGZO TFTs depend to a great extent on the band offsets in gate dielectric/α-IGZOheterojunction. The energy discontinuity in the valence band (ΔEV) and conduction band (ΔEC) in MgO/IGZO heterojunctionswere systematically examined by using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The MgO gate dielectric was found to havea straddled type band offset alignment on the IGZO. The valence band offset value for the MgO/IGZO heterojunction wasdetermined as 0.81 ± 0.17 eV using the Ga 2p3/2, Zn 2p3/2 and In 3d5/2 energy levels as references. The bandgap energy differencebetween the MgO and IGZO led to a corresponding conduction band offset (ΔEC) of ~3.79 eV and a nested interface alignment.
#MgO/InGaZnO4 heterojunction #Band offsets #XPS #Interface alignment

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Y.T. Chen / 2012 / Mater. Trans 53:733~738 google schola R.L. Hoffman / 2003 / Appl. Phys. Lett 82:733~735 google schola N.L. Dehuff / 2005 / J. Appl. Phys 97:064505~064505-5 google schola K. Nomura / 2003 / Science 300:1269~1272 google schola C.M. Hsu / 2015 / Materials 8:2769~2781 google schola

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