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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2020.1
- 수록면
- 451 - 456 (6page)
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Amorphous InGaZnO (a-IGZO) TFTs become mainstream at the forefront of display backplanes and are actively expandingtheir area for next-generation optoelectronic devices such as flexible and transparent displays. For flexible displays, lowtemperature processed passivation technology is required to keep the reliability of the electrical properties in a-IGZO TFTswithout damaging flexible plastic substrates. Here, we proposed a low-temperature passivation process using a dual-chambersystem. A high-quality passivation layer composed of octadecyl-trichlorosilane was formed at 140 °C under vacuum on theback-channel of a-IGZO TFTs using the system. The thermally deposited self-assembled monolayers (SAMs) enable theformation of hydrophobic surfaces on a-IGZO TFTs, leading to the protection of the back-channel against water and oxygenefficiently. As a result, the electrical characteristics such as the threshold voltage shift, hysteresis, field-effect mobility, andnegative bias stress of the SAM treated TFTs were significantly improved compared to those of the control TFTs.
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