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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.5
- 수록면
- 270 - 275 (6page)
- DOI
- https://doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.5.270
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현재 진행되고 있는 HEMT, power device 소자의 연구 개발에 사용되는 반도체 기술의 발전은 장치 작동 시 발생되는 높은 열을 효과적으로 방출 시키는데 어려움을 가지고 있다. 또한, 고성능전자장치에 사용되는 여러 물질 중 하나인 gallium nitride 기판도 열악한 열방출로 인해 그 성능을 반감시키고 있다. 이를 해결하기 위해 높은 열전도도를 가지는 물질인 다이아몬드 층을 장치 작동층 아래에 삽입시켜 열방산 효과를 높이는 것이 필요하다. 본 연구에서는 이상적인 GaN on diamond 구조의 디자인을 제안하고, 기존의 구조와 제안된 구조에 대한 유한요소법을 이용한 열전달 해석 결과의 비교를 통하여, 장치 전반의 성능을 최대화하며 탁월한 열방출 효과를 확인하였다.
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Arden L. Moore / 2014 / Emerging challenges and materials for thermal management of electronics / Materials Today 17(4):163~174
J. W. Pomeroy / 2014 / Low thermal resistance GaN-on-diamond transistors characterized by three-dimensional Raman thermography mapping / Applied Physics Letters 104(8):083513
M. Rabarot / 2010 / Silicon-On-Diamond layer integration by wafer bonding technology / Diamond and Related Materials 19(7-9):796~805
J. C. Kim / 2015 / Processing and Characterization of Diamond Surfaces for Wafer Bonding Applications
SP3 / The Solution to High Power Density Thermal Management
J. W. Pomeroy / 2014 / Low thermal resistance GaN-on-diamond transistors characterized by three-dimensional Raman thermography mapping / Applied Physics Letters 104(8):083513
M. Rabarot / 2010 / Silicon-On-Diamond layer integration by wafer bonding technology / Diamond and Related Materials 19(7-9):796~805
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